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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115948725A(43)申请公布日2023.04.11(21)申请号202211650419.2(22)申请日2022.12.21(71)申请人拓荆科技股份有限公司地址110179辽宁省沈阳市浑南区水家900号(72)发明人高级姜崴宋宇(74)专利代理机构北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)11463专利代理师宋南(51)Int.Cl.C23C16/458(2006.01)H01L21/67(2006.01)C23C16/46(2006.01)C23C16/455(2006.01)C23C16/44(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图3页(54)发明名称一种基板及反应腔体结构(57)摘要本发明涉及半导体设备技术领域,具体涉及一种基板及反应腔体结构。本发明提供的一种基板,所述基板呈圆柱体,所述基板的一个面为热吸收面,在所述基板的热吸收面上开设有贯通所述基板的圆孔,所述圆孔与所述基板同轴设置,所述热吸热面上开设有多个孔体,所述孔体为小圆孔,所述小圆孔均匀设置,在所述热吸收面上具有多个与所述基板同心的同心圆,每个所述同心圆上均匀排布有多个所述圆孔。这样由加热盘辐射到基板的热量一部分经过基板顶面多次吸收和反射,另一部分热量经过孔体全部吸收并通过热传导提升基板整体温度,提高了腔室的保温效果,大大降低各被加工基片上的膜厚不均匀性。CN115948725ACN115948725A权利要求书1/1页1.一种基板,其特征在于,所述基板呈圆柱体,所述基板的一个面为热吸收面,在所述基板的热吸收面上开设有贯通所述基板的圆孔,所述圆孔与所述基板同轴设置;所述热吸收面上开设有多个孔体。2.根据权利要求1所述的一种基板,其特征在于,所述孔体为小圆孔(201),所述小圆孔(201)均匀设置。3.根据权利要求2所述的一种基板,其特征在于,在所述热吸收面上具有多个与所述基板同心的同心圆,每个所述同心圆上均匀排布有多个所述圆孔,相邻的两个所述同心圆之间的距离相同。4.根据权利要求1所述的一种基板,其特征在于,所述孔体为环孔,多个所述孔体均与所述基板同轴设置,相邻的两个所述环孔之间的距离相同;所述环孔分为两部分,依次为上环孔(202)和下环孔(203),所述上环孔(202)设置于所述下环孔(203)的上方,且与所述下环孔(203)相连通。5.根据权利要求4所述的一种基板,其特征在于,所述下环孔(203)的内径小于所述上环孔(202)的内径,所述下环孔(203)的外径大于所述上环孔(202)的外径。6.根据权利要求1‑5中任一所述的一种基板,其特征在于,所述基板包括下盘体(1)和上盘体(2),所述上盘体(2)与所述下盘体(1)同轴设置,所述上盘体(2)的直径小于所述下盘体(1)的直径,所述上盘体(2)的上表面为热吸收面;所述孔体从所述上盘体(2)的上表面延伸至所述下盘体(1)的内部。7.根据权利要求6所述的一种基板,其特征在于,所述下盘体(1)的下表面一体成型有支撑体(101),所述支撑体(101)与所述下盘体(1)同轴设置;所述支撑体(101)与所述下盘体(1)的外径相同,所述支撑体(101)的内径大于所述上盘体(2)的外径。8.一种反应腔体结构,其特征在于,包括如权利要求1‑7中任一所述的一种基板、本体(3)、加热盘(5)、喷淋板(6)、腔盖板(301)和抽气环(4);所述本体(3)内形成有腔室,在所述腔室内依次安装有所述喷淋板(6)、所述加热盘(5)和所述基板,所述喷淋板(6)、所述加热盘(5)和所述基板同轴设置,所述基板设于所述腔室的内底壁;在所述基板和所述加热盘(5)之间形成有空腔,多个所述孔体的表面积之和占所述空腔表面积的0.6%。9.根据权利要求8所述的一种反应腔体结构,其特征在于,所述基板的直径小于所述腔室的直径,在所述基板和所述腔室内壁之间形成有环腔;所述抽气环(4)为圆环板状,所述抽气环(4)的下表面搭在所述基板上,且所述抽气环(4)盖合住所述环腔。10.根据权利要求9所述的一种反应腔体结构,其特征在于,所述基板的热吸收面朝向所述喷淋板(6),所述抽气环(4)的上表面与所述基板的热吸收面在同一水平面。2CN115948725A说明书1/6页一种基板及反应腔体结构技术领域[0001]本发明涉及半导体设备技术领域,具体涉及一种基板及反应腔体结构。背景技术[0002]如图1和图2所示,现有的基板呈圆柱体,基板为铝基板,基板的中心处开设有供加热盘穿过的圆孔,其上表面是光滑的,基板安装在腔室内,抽气环紧邻基板,在基板的上方依次安装有加热盘和喷淋板;[0003]在实际工艺中,由加热器所产生的热量中的一部分会传递到工艺腔室,铝基板的反射率高,通过基板表面反射会有一部分热量在加热器