一种双层反应腔体结构.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112382553A(43)申请公布日2021.02.19(21)申请号202011281050.3(22)申请日2020.11.16(71)申请人拉普拉斯（无锡）半导体科技有限公司地址214000江苏省无锡市锡山区锡北镇锡港路张泾东段209号(72)发明人林佳继庞爱锁刘群张武(51)Int.Cl.H01J37/32(2006.01)H01L31/18(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图2页(54)发明名称一种双层反应腔体结构(57)摘要本发明涉及半导体和太阳能光伏电池技术领域，具体涉及一种双层反应腔体结构，旨在解决现有技术中反应腔使用寿命受限形成的问题，其技术要点在于：包括内层腔体及外层腔体，所述内层腔体与所述外层腔体同轴设置，并且长度相等，所述内层腔体位于所述外层腔体内侧，所述外层腔体长度方向两端分别设置有炉口法兰及炉尾法兰，用于固定所述内层腔体及外层腔体。通过内外两层腔体的设置，使得外层腔体用于抽真空承受压力，所述内层腔体用于承接薄膜生长，不承受真空压力，使用过程中，外层腔体无镀膜层的影响，内层腔体不承受真空压力，可以有效地提升双层反应腔体的使用寿命。CN112382553ACN112382553A权利要求书1/1页1.一种双层反应腔体结构，其特征在于：包括内层腔体(1)及外层腔体(2)，所述内层腔体(1)与所述外层腔体(2)同轴设置，并且长度相等，所述内层腔体(1)位于所述外层腔体(2)内侧，所述外层腔体(2)长度方向两端分别设置有炉口法兰(3)及炉尾法兰(4)，用于固定所述内层腔体(1)及外层腔体(2)。2.根据权利要求1所述的一种双层反应腔体结构，其特征在于：所述炉口法兰(3)包括炉口内法兰(31)及炉口外法兰(32)，所述炉口内法兰(31)与所述炉口外法兰(32)之间设置有第一密封圈(33)，其中所述炉口外法兰(32)位于所述外层腔体(2)端部，所述炉口内法兰(31)位于所述炉口外法兰(32)指向所述外层腔体(2)一侧侧面，所述炉口内法兰(31)用于将所述外层腔体(2)固定在所述机架上，并且所述炉口内法兰(31)靠近所述第一密封圈(33)一侧设置有冷却水管路(311)。3.根据权利要求2所述的一种双层反应腔体结构，其特征在于：所述炉口外法兰(32)上设置有缓冲块(321)，所述缓冲块(321)位于所述炉口外法兰(32)与所述外层腔体(2)之间。4.根据权利要求3所述的一种双层反应腔体结构，其特征在于：所述炉口外法兰(32)与所述内层腔体(1)之间还设置有第二密封圈(322)，所述第二密封腔用于减少内层腔体(1)与外层腔体(2)之间的气体流通。5.根据权利要求4所述的一种双层反应腔体结构，其特征在于：所述炉尾法兰(4)外周连接有炉尾盖(5)，所述炉尾法兰(4)用于连接所述炉尾盖(5)及所述内层腔体(1)，所述内层腔体(1)指向所述炉尾法兰(4)一端设置有隔热板(11)。6.根据权利要求5所述的一种双层反应腔体结构，其特征在于：所述内层腔体(1)内设置有支撑环(12)，所述支撑环(12)固定设置在所述炉尾法兰(4)指向所述内层腔体(1)一侧。7.根据权利要求6所述的一种双层反应腔体结构，其特征在于：所述炉尾盖(5)上设置有氮气管道(51)，所述氮气管道(51)用于对所述外层腔体(2)及所述内层腔体(1)中间通入氮气。2CN112382553A说明书1/3页一种双层反应腔体结构技术领域[0001]本发明涉及半导体和太阳能光伏电池制造技术领域，具体涉及一种双层反应腔体结构。背景技术[0002]扩散设备作为半导体器件工艺设备的重要设备之一，广泛应用于集成电路、电力电子、太阳能电池的生产等行业，在光伏行业，高温扩散炉主要用于对单晶硅片、多晶硅片进行掺杂，形成PN结。退火设备主要是进行退火、激活等作用。[0003]低压化学气相沉积(LPCVD)设备主要用于薄膜生长，可用于本征非晶硅、掺杂非晶硅、氧化硅等薄膜生长。[0004]等离子增强化学气相沉积(PECVD)设备在太阳能光伏电池工艺流程中作用主要是薄膜生长，可用于氮化硅、氧化铝、本征硅、掺杂非晶硅等薄膜生长。[0005]扩散设备、退火设备、LPCVD设备、PECVD设备共有的特征之一是都有一个腔体让硅片在腔体中进行工艺。但常规的炉管是单层，大都是石英材质。炉管壁上会随着运行工艺逐渐会镀上一层厚厚的膜，由于膜材料的性质与石英不同，如LPCVD设备镀上非晶硅，较厚的膜与石英之间产生应力，再在几十毫托的真空度下，炉管承受的压力较大，容易造成炉管破裂，导致工艺失败，造成工艺硅片返工甚至破碎，炉管内部石英舟、热电偶、进气管等造成损坏。设备停机维护，碎裂的石英还有可能损坏热场，造成二次损伤。。发明内容