一种双面多台阶腔体的LTCC基板制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109285812A(43)申请公布日2019.01.29(21)申请号201811152130.1(22)申请日2018.09.29(71)申请人西安微电子技术研究所地址710065陕西省西安市雁塔区太白南路198号(72)发明人肖刚刘发李建国陈宁(74)专利代理机构西安通大专利代理有限责任公司61200代理人徐文权(51)Int.Cl.H01L23/15(2006.01)H01L21/48(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图3页(54)发明名称一种双面多台阶腔体的LTCC基板制造方法(57)摘要本发明公开了一种双面多台阶腔体的LTCC基板制造方法，包括如下步骤；1.对生瓷片进行预烘干、打孔开腔、填孔、导体印刷和金属导体烘干处理；2.将生瓷片进行脱膜处理；3.叠片处理，将生瓷片进行叠加作为基板，基板上下表面腔体从表面向中心面积依次减小，并通过未开腔的生瓷片进行隔离；基板顶底各放置有金属片成为整体，作为生瓷坯；4.将生瓷坯进行真空包封；5.将真空包封好的生瓷坯进行等静压层压；6.完成等静压层压后，将基板取出，再对基板进行热切，切割出需要的图形及尺寸，去除多余的角料，并切割出填充块；7.将填充块放置在基板底部最内层腔体内，将基板底部放置在烧结炉内的承烧板上进行低温烧结。CN109285812ACN109285812A权利要求书1/1页1.一种双面多台阶腔体的LTCC基板制造方法，其特征在于，包括如下步骤；步骤1，对生瓷片(1)进行预烘干、打孔开腔、填孔、导体印刷和金属导体烘干处理；步骤2，将步骤1处理后的生瓷片(1)进行脱膜处理；步骤3，叠片处理，将若干脱膜处理后的生瓷片(1)进行叠加作为基板(16)，基板(16)上下表面腔体(3)从表面向中心面积依次减小，上下表面最靠近中心处的腔体(3)通过未开腔的生瓷片(1)进行隔离；基板(16)顶底各放置有金属片成为整体，作为生瓷坯(15)；金属片设置有通孔，通孔的形状和位置分别对应所接触的基板(16)最外层腔体(3)的形状和位置；步骤4，将生瓷坯(15)进行真空包封；步骤5，将真空包封好的生瓷坯(15)进行等静压层压；步骤6，完成等静压层压后，将基板(16)取出，再对基板(16)进行热切，切割出需要的图形及尺寸，去除多余的角料，并切割出填充块(13)；步骤7，将填充块(13)放置在基板(16)底部腔体(3)内，对底部最内层腔体(3)进行支撑，然后将基板(16)底部放置在烧结炉内的承烧板(14)上进行低温烧结。2.根据权利要求1所述的一种双面多台阶腔体的LTCC基板制造方法，其特征在于，步骤3中，金属片与生瓷片(1)通过粘接固定为一个整体。3.根据权利要求1所述的一种双面多台阶腔体的LTCC基板制造方法，其特征在于，步骤4中，在将生瓷坯(15)放入真空包封袋(12)前，使用软硅胶片(11)将该生瓷坯(15)双面包裹。4.根据权利要求1所述的一种双面多台阶腔体的LTCC基板制造方法，其特征在于，步骤3中，先将一片金属片放入叠片模具(7)中，再将若干生瓷片(1)逐个放入，最后再将一片金属片放入叠片模具(7)中，叠片模具(7)的定位柱(8)穿过金属片和生瓷片(1)的定位孔(5)。5.根据权利要求1所述的一种双面多台阶腔体的LTCC基板制造方法，其特征在于，基体最外层生瓷片(1)与金属片之间设置有一层保鲜膜(9)。6.根据权利要求1所述的一种双面多台阶腔体的LTCC基板制造方法，其特征在于，步骤(4)中，在使用软硅胶片(11)将生瓷坯(15)双面包裹前，将生瓷坯(15)的定位孔(5)内填充用于排除空气的填充物。7.根据权利要求1所述的一种双面多台阶腔体的LTCC基板制造方法，其特征在于，步骤4中，真空包封压力为-0.1MPa，包封层数为两层。8.根据权利要求1所述的一种双面多台阶腔体的LTCC基板制造方法，其特征在于，步骤2中，脱模时采用工艺真空将生瓷片(1)吸附在吸盘(6)上，再去除生瓷片(1)的PET膜(4)，然后取消吸附，取下生瓷片(1)；吸盘(6)吸附生瓷片(1)时，错开生瓷片(1)腔体(3)位置。9.根据权利要求1、2、4或5所述的一种双面多台阶腔体的LTCC基板制造方法，其特征在于，所述金属片为表面平整的不锈钢片(2)，厚度为250μm。10.根据权利要求1所述的一种双面多台阶腔体的LTCC基板制造方法，其特征在于，步骤5中，等静压层压预热温度70℃，第一阶层压压力10MPa，第一阶层压时间5min，第二阶层压压力21MPa，第二阶层压时间10min。2CN109285812A说明书1/4页一种双面多台阶腔体的LTCC基板制造方法技术领域[0001]本发明属于半导体混合集成电路技术领域，涉及一种双面