一种高角度X射线孪生衍射点的衍射强度的校正方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115954070A(43)申请公布日2023.04.11(21)申请号202211703441.9(22)申请日2022.12.29(71)申请人中国科学院福建物质结构研究所地址350000福建省福州市鼓楼区杨桥西路155号(72)发明人姜小明郭国聪(74)专利代理机构深圳市盛果果知识产权代理事务所(普通合伙)44756专利代理师杨勇华(51)Int.Cl.G16C60/00(2019.01)G06T7/00(2017.01)G06T5/00(2006.01)G01N23/207(2018.01)权利要求书1页说明书6页附图4页(54)发明名称一种高角度X射线孪生衍射点的衍射强度的校正方法(57)摘要本发明属于材料细分领域，一种高角度X射线孪生衍射点的衍射强度的校正方法，包括：步骤一、钼靶的X射线源，存在和两种波长的光通过衍射产生两个不同强度相邻衍射点，获取强度大的衍射点P1的位置，计算出该衍射点的取向矩阵；步骤二：根据取向矩阵以及P1衍射点的位置计算出与P1相对应的P2衍射点的位置；步骤三：对P1和P2衍射点分别积分计算出两者的强度I(P1)和I(P2),校正后的强度为I校正＝I(P1)+I(P2)。与现有技术相比，本发明的有益效果是：通过对每个坐标系K(h,k,l)的两个分立的衍射点的强度分别积分，获得准确的I校正(h，k，l)，校正后的I校正(h，k，l)更利于电子结构精修的准确性。CN115954070ACN115954070A权利要求书1/1页1.一种高角度X射线孪生衍射点的衍射强度的校正方法，其特征在于：步骤一、钼靶的X射线源，存在和两种波长的光通过衍射产生两个不同强度相邻衍射点，获取强度大的衍射点P1的位置，计算出该衍射点的取向矩阵步骤二：根据取向矩阵以及P1衍射点的位置计算出与P1相对应的P2衍射点的位置；步骤三：对P1和P2衍射点分别积分计算出两者的强度I(P1)和I(P2),校正后的强度为I校正＝I(P1)+I(P2)。2.如权利要求1所述的高角度X射线孪生衍射点的衍射强度的校正方法，其特征在于：步骤一中，选取拥有相同指标K(h,k,l)的两个相邻的衍射点，分别定义为：P1(x1,y1,z1)和P2(x2,y2,z2)，他们分别表示P1、P2在检测仪器的直角坐标系中的位置，P1和P2分别对应于kα1和kα2产生的衍射点，P1的强度大于P2的强度，通过衍射实验获得一套比较强的P1(x1,y1,z1),通过指标化计算可得到晶体的取向矩阵其中，a*,b*,c*分别为平行六面体三根轴矢量。3.如权利要求2所述的高角度X射线孪生衍射点的衍射强度的校正方法，其特征在于：所述P1的强度大于P2的强度的两倍。4.如权利要求1所述的高角度X射线孪生衍射点的衍射强度的校正方法，其特征在于：步骤二中，由于P1衍射点与P2衍射点具有相同的取向矩阵U，根据U和以及计算出P2衍射点的精确位置P2(x2,y2,z2)。5.如权利要求1所述的高角度X射线孪生衍射点的衍射强度的校正方法，其特征在于：步骤三、位置指标参数K(h，k，l)下的P1和P2衍射点分别积分计算出两者的强度I(P1)和I(P2),校正后的强度为I校正＝I(P1)+I(P2)。6.如权利要求5所述的高角度X射线孪生衍射点的衍射强度的校正方法，其特征在于：使用I校正(h，k，l)引入电子结构精修中。2CN115954070A说明书1/6页一种高角度X射线孪生衍射点的衍射强度的校正方法技术领域[0001]本发明涉及材料分析技术领域，尤其涉及X射线衍射实验的高角度X射线孪生衍射点的衍射强度的校正方法。背景技术[0002]材料科学是现代科学技术的基础和先导，对材料结构及材料构造关系的认知水平直接决定了新材料的研发能力。[0003]材料的微观结构包括晶体结构、局域结构、和缺陷结构等原子层次的结构以及电子结构，其中电子结构从根本上决定了材料的本征性能。目前，材料原子层次结构的实验测试技术已经发展得非常成熟，但电子结构实验测试一直处在探索阶段，尽管电子结构可由第一性理论计算获得，但理论计算采用假设近似多，计算结果与实际情况有偏差，难以指导高性能材料的设计。[0004]因而，如何获得材料的实验电子结构是一个关键科学问题。该问题的解决有助于实现我国材料结构的实验研究从原子层次到电子层次的跨越，并加速一批国防和民用关键功能材料的研发进程。[0005]图1为现有技术利用X射线的实验结构图，X射线入射在待测晶体上，X射线通过该待测晶体后进行衍射，可以通过X射线探测器获取高精度、高分辨率的X‑ray单晶衍射数据(位置与强度信息)，并进行电子结构精修，反推出材料的实验电子结构是可行的，最终可获得静态和使役条件下材料的实验电子结构，电子