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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115948029A(43)申请公布日2023.04.11(21)申请号202211713531.6C08K5/103(2006.01)(22)申请日2022.12.29(71)申请人宁夏清研高分子新材料有限公司地址753000宁夏回族自治区石嘴山市经济技术开发区管理委员会B-2(72)发明人乐泽伟徐良于冉张东宝陈荣强张建邵彩萍(74)专利代理机构北京众达德权知识产权代理有限公司11570专利代理师韦汉(51)Int.Cl.C08L67/00(2006.01)C08L51/06(2006.01)C08K9/04(2006.01)C08K7/26(2006.01)权利要求书1页说明书8页附图1页(54)发明名称低介电高疏水的LCP基LDS复合材料及其制备方法(57)摘要本申请涉及低介电高疏水的LCP基LDS复合材料及其制备方法,属于高分子材料技术领域;方法包括:得到二氧化硅气凝胶对所述二氧化硅气凝胶进行改性,以使含氟单体接枝到所述二氧化硅气凝胶,得到改性二氧化硅气凝胶;把所述改性二氧化硅气凝胶、LCP、POE‑g‑MAH、LDS激光活化剂、抗氧剂和三硬脂酸甘油酯进行混合,后进行挤出造粒,得到低介电高疏水的LCP基LDS复合材料;利用含氟结构不仅能降低介电常数,还能提高疏水性能的特点,采用自由基聚合的方法将含氟单体接枝到二氧化硅气凝胶表面,最后将液晶聚合物、改性二氧化硅气凝胶、铜络黑等其他助剂一起挤出造粒;达到了改善LDS复合材料的疏水性能的目的。CN115948029ACN115948029A权利要求书1/1页1.一种低介电高疏水的LCP基LDS复合材料的制备方法,其特征在于,所述方法包括:得到二氧化硅气凝胶;对所述二氧化硅气凝胶进行改性,以使含氟单体接枝到所述二氧化硅气凝胶,得到改性二氧化硅气凝胶;把所述改性二氧化硅气凝胶、LCP、POE‑g‑MAH、LDS激光活化剂、抗氧剂和三硬脂酸甘油酯进行混合,后进行挤出造粒,得到低介电高疏水的LCP基LDS复合材料。2.根据权利要求1所述的低介电高疏水的LCP基LDS复合材料的制备方法,其特征在于,所述对所述二氧化硅气凝胶进行改性,以使含氟单体接枝到所述二氧化硅气凝胶,得到改性二氧化硅气凝胶,具体包括:把所述二氧化硅气凝胶、含氟单体和偶氮二异丁腈混合于甲苯中,以对所述二氧化硅气凝胶进行改性、使含氟单体接枝到所述二氧化硅气凝胶,得到改性二氧化硅气凝胶。3.根据权利要求2所述的低介电高疏水的LCP基LDS复合材料的制备方法,其特征在于,所述含氟单体包括甲基丙烯酸三氟乙酯、甲基丙烯酸十二氟庚酯和甲基丙烯酸十三氟辛酯中的至少一种。4.根据权利要求2所述的低介电高疏水的LCP基LDS复合材料的制备方法,其特征在于,所述含氟单体和所述二氧化硅气凝胶的质量比为2‑5:5‑10。5.根据权利要求2所述的低介电高疏水的LCP基LDS复合材料的制备方法,其特征在于,所述偶氮二异丁腈的质量占所述二氧化硅气凝胶的质量的0.1%‑1%。6.根据权利要求1所述的低介电高疏水的LCP基LDS复合材料的制备方法,其特征在于,所述LDS激光活化剂包括铜铬黑和碱式磷酸铜中的至少一种。7.根据权利要求1所述的低介电高疏水的LCP基LDS复合材料的制备方法,其特征在于,所述改性二氧化硅气凝胶、LCP、POE‑g‑MAH、LDS激光活化剂、抗氧剂和三硬脂酸甘油酯的质量比为60‑75:10‑30:3‑7:10‑15:0.5‑1.5:0.5‑1.5。8.根据权利要求1所述的低介电高疏水的LCP基LDS复合材料的制备方法,其特征在于,所述得到二氧化硅气凝胶,具体包括:把正硅酸四乙酯和乙烯基硅烷混合到乙醇与水的混合溶液,后加入催化剂,得到二氧化硅溶液;对所述二氧化硅溶液进行老化,后进行溶剂置换,得到二氧化硅气凝胶。9.根据权利要求8所述的低介电高疏水的LCP基LDS复合材料的制备方法,其特征在于,所述正硅酸四乙酯和乙烯基硅烷的质量比为3‑7:1‑1.5;和/或所述乙烯基硅烷包括乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基甲基二甲氧基硅烷和乙烯基甲基二乙氧基硅烷中的至少一种;和/或所述乙醇与水的混合溶液中,乙醇和水的质量比为4‑6:3‑5;和/或所述催化剂包括四甲基氢氧化铵。10.一种低介电高疏水的LCP基LDS复合材料,其特征在于,所述复合材料采用权利要求1至9中任一项所述的低介电高疏水的LCP基LDS复合材料的制备方法制得。2CN115948029A说明书1/8页低介电高疏水的LCP基LDS复合材料及其制备方法技术领域[0001]本申请涉及高分子材料技术领域,尤其涉及低介电高疏水的LCP基LDS复合材料及其制备方法。背景技术[0002]高速发展的通讯产业要求信号频段灵