预览加载中,请您耐心等待几秒...
1/10
2/10
3/10
4/10
5/10
6/10
7/10
8/10
9/10
10/10

亲,该文档总共16页,到这已经超出免费预览范围,如果喜欢就直接下载吧~

如果您无法下载资料,请参考说明:

1、部分资料下载需要金币,请确保您的账户上有足够的金币

2、已购买过的文档,再次下载不重复扣费

3、资料包下载后请先用软件解压,在使用对应软件打开

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115956291A(43)申请公布日2023.04.11(21)申请号202280004796.0(22)申请日2022.10.20(85)PCT国际申请进入国家阶段日2022.12.02(86)PCT国际申请的申请数据PCT/CN2022/1265022022.10.20(71)申请人英诺赛科(珠海)科技有限公司地址519085广东省珠海市高新区金园二路39号(72)发明人姚卫刚(74)专利代理机构深圳宜保知识产权代理事务所(普通合伙)44588专利代理师王琴曹玉存(51)Int.Cl.H01L23/495(2006.01)权利要求书3页说明书5页附图7页(54)发明名称III族氮化物基半导体封装结构及其制造方法(57)摘要一种III族氮化物基半导体封装结构,包括引线框架、第一粘合剂层、III族氮化物基晶粒、第二粘合剂层和第一导电迹线。所述引线框架包括晶粒座和引线。第一粘合剂层设置在晶粒座上。所述III族氮化物基晶粒设置在所述第一粘合剂层上。所述第二粘合剂层设置在所述III氮化物基晶粒上。所述第一导电迹线将所述III族氮化物基晶粒电性连接到所述引线,其中所述第一导电迹线从所述III族氮化物基晶粒上方的位置延伸到所述引线上方的位置,并且具有两次转向的延伸路径。CN115956291ACN115956291A权利要求书1/3页1.一种III族氮化物基半导体封装结构,其特征在于,包括:引线框架,包括晶粒座和引线;第一粘合剂层,其设置在所述晶粒座上;III族氮化物基晶粒,其设置在所述第一粘合剂层上;第二粘合剂层,其设置在所述III族氮化物基晶粒上;和第一导电迹线,其将所述III族氮化物基晶粒电性连接到所述引线,其中所述第一导电迹线从所述III族氮化物基晶粒上方的位置延伸到所述引线上方的位置,并且具有两次转向的延伸路径。2.根据前述权利要求的任一项所述的III型氮化物基半导体封装结构,其特征在于,其中所述第一导电迹线在所述延伸路径的转角具有两个圆角。3.根据前述权利要求的任一项所述的III族氮化物基半导体封装结构,其特征在于,其中所述延伸路径的所述转角是由范围为80度至90度的角度所形成。4.根据前述权利要求的任一项所述的III族氮化物基半导体封装结构,其特征在于,其中所述第一导电迹线包括位于所述III族氮化物基晶粒正上方的指状焊垫。5.根据前述权利要求的任一项所述的III族氮化物基半导体封装结构,其特征在于,还包括:盖体,其覆盖在所述第一导电迹线的所述指状焊垫。6.根据前述权利要求的任一项所述的III族氮化物基半导体封装结构,其特征在于,其中所述盖体具有凹部以容纳所述第一导电迹线的所述指状焊垫。7.根据前述权利要求的任一项所述的III族氮化物基半导体封装结构,其特征在于,还包括:封装剂,其封装引线框架、所述III族氮化物基晶粒、所述第一导电迹线和所述盖。8.根据前述权利要求的任一项所述的III族氮化物基半导体封装结构,其特征在于,还包括:第二导电迹线,其将所述III族氮化物基晶粒管芯电性连接到所述引线,其中所述第二导电迹线从所述III族氮化物基晶粒上方的位置延伸到所述引线上方的位置并朝向远离所述第一导电迹线的方向延伸,并且所述第二导电迹线具有两次转向的延伸路径。9.根据前述权利要求的任一项所述的III族氮化物基半导体封装结构,其特征在于,其中所述第二导电迹线包括位于所述III族氮化物基晶粒正上方的指状焊垫。10.根据前述权利要求的任一项所述的III族氮化物基半导体封装结构,其特征在于,其中所述第一导电迹线的所述指状焊垫与所述第二导电迹线的所述指状焊垫相互隔离。11.根据前述权利要求的任一项所述的III族氮化物基半导体封装结构,其特征在于,还包括:盖体,其覆盖所述第一导电迹线的所述指状焊垫与所述第二导电迹线的所述指状焊垫。12.根据前述权利要求的任一项所述的III族氮化物基半导体封装结构,其特征在于,其中所述盖体包括分隔壁,其位于所述第一导电迹线的所述指状焊垫和所述第二导电迹线的所述指状焊垫之间。13.根据前述权利要求的任一项所述的III族氮化物基半导体封装结构,其特征在于,2CN115956291A权利要求书2/3页其中所述分隔壁呈锯齿状。14.根据前述权利要求的任一项所述的III族氮化物基半导体封装结构,其特征在于,其中所述第一导电迹线在所述III族氮化物基晶粒上方水平延伸。15.根据前述权利要求的任一项所述的III族氮化物基半导体封装结构,其特征在于,还包括:栅极导电迹线,其电性连接到所述III族氮化物基晶粒,其中所述栅极导电迹线延伸以形成具有两次转向的延伸路径。16.一种III族氮化物基半导体封装结构的制作方法,其特征在于,包括:形成彼此分离的第一导电迹线与第二