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III族氮化物半导体自立基板及其制造方法、III族氮化物半导体装置及其制造方法.pdf
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小宏****aa
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III族氮化物半导体自立基板及其制造方法、III族氮化物半导体装置及其制造方法.pdf
本发明为III族氮化物半导体自立基板及其制造方法、III族氮化物半导体装置及其制造方法。所述III族氮化物半导体自立基板的制造方法可不实施球面研磨等，再现性良好地使自立基板表面的单一结晶面的面积增大。本发明的III族氮化物半导体自立基板为，基板表面是刚长成的，所述基板表面的一半以上区域包含具有由III族极性的C面向m轴方向或a轴方向、或者由M面向c轴方向或a轴方向倾斜的偏离角的单一结晶面。
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