透射结构及其制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115966913A(43)申请公布日2023.04.14(21)申请号202111194142.2(22)申请日2021.10.13(71)申请人南京大学地址210093江苏省南京市鼓楼区汉口路22号申请人南京星隐科技发展有限公司(72)发明人赖耘褚宏晨熊翔彭茹雯王牧(74)专利代理机构苏州锦尚知识产权代理事务所(普通合伙)32502专利代理师滕锦林(51)Int.Cl.H01Q15/02(2006.01)权利要求书4页说明书23页附图10页(54)发明名称透射结构及其制备方法(57)摘要本申请涉及一种透射结构及其制备方法。透射结构包括多个第一透射单元和多个第二透射单元，第一透射单元的透射电磁波的第一透射相位和第二透射单元的透射电磁波的第二透射相位的差在预设频段内相同或相近，多个第一透射单元和多个第二透射单元在一面内无序排布；第一透射单元具有第一基体，第一基体内部设置有第一介质块，第一介质块与第一透射单元的电磁波射入面之间的第一基体的厚度为非零的第一厚度；对应的第二透射单元具有第二基体、第二介质块和非零的第二厚度，第二厚度与第一厚度被配置为使得第一透射单元和第二透射单元能在较宽的频率范围内具备较大的反射电磁波相位差。CN115966913ACN115966913A权利要求书1/4页1.一种透射结构，包括多个第一透射单元和多个第二透射单元，所述多个第一透射单元和所述多个第二透射单元在一面内无序排布，且所述多个第一透射单元的电磁波射入面和所述多个第二透射单元的电磁波射入面共同形成所述透射结构的电磁波射入面；其特征在于，所述第一透射单元具有第一基体，所述第一基体内部设置有第一介质块，所述第一介质块与所述第一透射单元的电磁波射入面之间的所述第一基体的厚度为非零的第一厚度；及，所述第二透射单元具有第二基体，所述第二基体内部设置有第二介质块，所述第二介质块与所述第二透射单元的电磁波射入面之间的所述第二基体的厚度为非零的第二厚度，所述第二厚度与所述第一厚度不同；其中，电磁波入射至所述第一透射单元和所述第二透射单元时，所述第一透射单元的透射电磁波具备第一透射相位所述第二透射单元的透射电磁波具备第二透射相位所述第一透射相位和第二透射相位在预设频段内满足所述第一基体的反射电磁波为第一反射电磁波，所述第一介质块的反射电磁波为第二反射电磁波；所述第一厚度被配置为至少通过所述第一反射电磁波和所述第二反射电磁波的干涉而使所述第一透射单元的反射电磁波具备第一反射相位所述第二基体的反射电磁波为第三反射电磁波，所述第二介质块的反射电磁波为第四反射电磁波；所述第二厚度被配置为至少通过所述第三反射电磁波和所述第四反射电磁波的干涉而使所述第二透射单元的反射电磁波具备第二反射相位所述第一反射相位和所述第二反射相位在所述预设频段内满足2.根据权利要求1所述的透射结构，其特征在于，所述第一厚度被配置为使所述第一透射单元的反射电磁波在基准频率处的反射系数为实数，所述基准频率位于所述预设频段内；且，所述第二厚度被配置为使所述第一反射相位和所述第二反射相位在所述基准频率处满足3.根据权利要求2所述的透射结构，其特征在于，所述第二厚度被配置为使所述第一反射相位和所述第二反射相位的差的绝对值在所述基准频率处为π。4.根据权利要求1‑3中任一项所述的透射结构，其特征在于，所述预设频段包括至少部分可见光频段和/或至少部分红外光频段。5.根据权利要求4所述的透射结构，其特征在于，所述第一厚度d1的取值范围为30nm～120nm，所述第二厚度d2的取值范围为110nm～290nm。6.根据权利要求5所述的透射结构，其特征在于，所述第一厚度d1的取值范围为40nm～80nm，所述第二厚度d2的取值范围为130nm～160nm。7.根据权利要求1所述的透射结构，其特征在于，所述第一基体和所述第二基体的材质相同；和/或，2CN115966913A权利要求书2/4页所述第一介质块和所述第二介质块的材质相同；和/或，所述第一介质块和所述第二介质块的厚度相同。8.根据权利要求1所述的透射结构，其特征在于，所述第一基体和所述第二基体的材质均包括电介质、半导体中的至少一种，所述第一介质块和所述第二介质块的材质均包括金属、电介质、半导体中的至少一种。9.根据权利要求8所述的透射结构，其特征在于，所述第一介质块和所述第二介质块的材质均包括铜、银、金、铝、铂、硅、石墨烯中的至少一种。10.根据权利要求8所述的透射结构，其特征在于，所述第一介质块的材质为金属时，所述第一介质块具有一预设厚度，所述预设厚度小于或等于该金属的趋肤深度；和/或，所述第二介质块的材质为金属时，所述第二介质块具有一预设厚度，所述预设厚度小于或等于该金属的趋肤深度。11.一种透