原位透射电镜加热芯片及其制备方法.pdf
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一种透射电镜高分辨原位气相加热芯片及其制备方法.pdf
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原位透射电镜加热芯片.pdf
本实用新型涉及加热芯片技术领域,提供一种原位透射电镜加热芯片,包括:基底,中部开设有通孔,外周设置有多个定位孔;薄膜绝缘层,薄膜绝缘层对应通孔的外周设置有隔热凹槽;加热电阻层,设置于薄膜绝缘层的顶部,加热电阻层盘绕在通孔的边缘。本实用新型提供的原位透射电镜加热芯片,通过设置通孔,减少了加热电阻层的加热体积,降低了原位透射电镜加热芯片的加热功率,减少了加热过程中芯片产生的热漂移,使得透射电镜成像更加稳定清晰;超大视场范围用于试验观察,制样更加简单、方便;隔热凹槽有效约束了加热电阻层的温度扩散,使温度尽可能集
原位加热芯片及其制造方法.pdf
本发明的原位加热芯片及其制造方法,能够在很小的范围内进行加热并能够实现较高的温度梯度。原位加热芯片(100)包括:由硅构成的基片;形成在基片的至少1个主面上的二氧化硅层;和形成在二氧化硅层上的氮化硅层,原加热芯片(100)形成有通过除去基片而保留至少1个氮化硅层而成的加热微区薄膜窗口,在加热微区薄膜窗口形成有至少2个能够独立地加热的加热区域,在每个加热区域,在氮化硅层上形成有金属薄膜电阻图案(102)和与金属薄膜电阻图案(102)电连接的多个电极(102?1、102?2、102?3、102?4),在至少2
一种透射电镜原位电热耦合芯片及其制备方法.pdf
本发明公开了一种透射电镜原位电热耦合芯片及其制备方法。结构为上片和下片通过金属键合层组合,自封闭形成一个超薄的腔室;上片和下片的材质均为两面有氮化硅或氧化硅的硅基片,上片有两个注样口和一个中心视窗;下片有电极材料层,过渡层,氮化硅或氧化硅层,加热层,绝缘层,氮化硅或氧化硅层,硅基片,氮化硅或氧化硅层和中心视窗,位于下片的中心位置,加热层设置有四个接触电极及环形加热丝,所述四个接触电极设置在芯片边缘,所述加热丝为多条圆弧线的末端联通形成,圆弧线连接时留有一条狭缝,所述电极材料层中的工作电极置于狭缝处,前端延