一种石墨烯膜及其制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115959652A(43)申请公布日2023.04.14(21)申请号202211694993.8(22)申请日2022.12.28(71)申请人广东墨睿科技有限公司地址523000广东省东莞市道滘镇万道路道滘段2号12号楼101室(72)发明人蔡金明梁惠明萧文秋何健昌(74)专利代理机构东莞科强知识产权代理事务所(普通合伙)44450专利代理师李林学(51)Int.Cl.C01B32/184(2017.01)H05K7/20(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图5页(54)发明名称一种石墨烯膜及其制备方法(57)摘要本发明提出一种石墨烯膜的制备方法。高导热石墨烯打孔膜上贯穿上下表面开设有通孔，通孔是在涂布过程中，也就是半干状态下进行打孔贯穿的。其制备方法为，用一定固含量的GO浆料进行涂布，涂布一定厚度的GO膜。涂布线后端设有烘箱，涂布膜涂布完成后进入烘箱烘干，烘干至半干状态后取出。将上述半干状态GO膜放置在定制的自动化打孔治具装置上，将半干状态GO膜的上下表面进行贯穿打孔，得到孔径统一且规整的半干状态GO打孔膜。接着把膜放回烘箱完全烘干，GO膜将继续完成自组装成膜，半干膜的孔洞结构未受影响，从而得到具有一定强度且孔径规整的干燥状态GO打孔膜。最后对其进行热预处理、石墨化处理后，得到高导热石墨烯打孔膜。CN115959652ACN115959652A权利要求书1/1页1.一种石墨烯膜的制备方法，其特征在于，制备GO浆料，将所述GO浆料涂布于多孔基材上，获得一定厚的GO膜；将所述GO膜进入烘箱中，烘干至未完全干燥状态；对未完全烘干的GO膜进行打孔处理；打孔完毕后继续进入烘箱中将GO膜烘干至完全干燥，获得干燥的GO打孔膜；对干燥的GO打孔膜进行热预处理、碳化、高温石墨化处理后，得到高导热石墨烯打孔膜。2.根据权利要求1所述的石墨烯膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1）制备GO浆料，用所述GO浆料涂布与多孔基材上获得具有一定厚的GO膜；2）涂布完成后获得的所述GO膜进入涂布线后端的烘箱内进行第一次烘干，烘干至未完全干燥状态；3）将未完全干燥的GO膜放置在定制的自动化打孔治具装置上，按照预设的打孔速度以及时间对未完全干燥的GO膜的上下表面进行贯穿打孔；4）打孔完毕后继续进入到烘箱中进行第二烘干，将打孔后的GO膜烘干至完全干燥；5）对干燥的GO打孔膜进行热预处理、碳化、高温石墨化处理后，得到高导热石墨烯打孔膜。3.根据权利要求2所述的石墨烯膜的制备方法，其特征在于，所述GO浆料的固含量为2%‑10%，所述GO膜的厚度设置为2‑12mm。4.根据权利要求2所述的石墨烯膜的制备方法，其特征在于，所述第一次烘干处理中，将GO膜烘干至固含量为50‑70%，GO膜的拉伸强度Rm≥1N/mm2。5.根据权利要求4所述的石墨烯膜的制备方法，其特征在于，所述第一次烘干处理中，烘箱温度设置为60‑80℃，烘干时间设置为2‑4h。6.根据权利要求2所述的石墨烯膜的制备方法，其特征在于，步骤3中，所述GO打孔膜的孔径为0.5mm‑2mm，孔间距为1‑10mm。7.根据权利要求2所述的石墨烯膜的制备方法，其特征在于，步骤3中，所述打孔治具打孔的速度设置为0.5‑0.6m/s，每次打孔保压的时间为20‑30秒。8.根据权利要求2所述的石墨烯膜的制备方法，其特征在于，所述第二次烘干处理步骤中，烘箱温度设置为80‑100℃，烘干时间设置为1‑3h。9.根据权利要求2所述的石墨烯膜的制备方法，其特征在于，在步骤5中，所述对干燥GO打孔膜进行热预处理时间设置为1‑2h，预处理温度为250‑400℃；碳化处理时间设置0.5‑2h，碳化温度为1000‑1400℃；高温石墨化处理时间设置为0.5‑2h，石墨化温度为2600‑3000℃。10.一种石墨烯膜，其特征在于，采用权利要求1‑9所述的方法制备获得。2CN115959652A说明书1/6页一种石墨烯膜及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及石墨烯在电子元件散热领域的应用，更具体地说，涉及一种结构稳定的高导热石墨烯膜的制备方法。背景技术[0002]石墨烯是具有单原子层厚度的二维材料，因为其独特的电学、光学、力学、热学性能而备受关注。随着石墨烯大规模制备技术的发展，基于氧化石墨烯方法制备的高导热石墨烯膜热导率可达1500~2000W/(m∙K)。因此，石墨烯无论是作为自支撑导热膜，还是作为热界面材料的导热填料，都将在下一代电子元件散热应用中发挥重要价值。[0003]随着智能时代的来临，人们对手机、电脑等电子产品的需求越来越高，手机、电脑的硬件配置也随之提高，CPU从单核到双核在逐渐提升至四核、八核，屏幕大小和分辨率也不断提升。伴随着手机、电脑等