四氮唑类化合物及其制备方法和应用.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115960052A(43)申请公布日2023.04.14(21)申请号202211696700.XH05K3/38(2006.01)(22)申请日2022.12.28(71)申请人光华科学技术研究院（广东）有限公司地址511400广东省广州市番禺区石楼镇创启路63号创启7号楼申请人广东东硕科技有限公司广东光华科技股份有限公司(72)发明人冼日华杜小林叶绍明刘彬云肖定军(74)专利代理机构华进联合专利商标代理有限公司44224专利代理师黎金娣(51)Int.Cl.C07D257/04(2006.01)权利要求书5页说明书25页附图1页(54)发明名称四氮唑类化合物及其制备方法和应用(57)摘要本发明涉及一种四氮唑类化合物及其制备方法和应用。该四氮唑类化合物具有式(I)所示结构，其可作为一类新型的键合剂，用于牢固粘合铜/铜合金和树脂，并降低趋肤效应，具有良好的信号传输效果，满足高频高速通讯产品的要求。CN115960052ACN115960052A权利要求书1/5页1.一种四氮唑类化合物，其特征在于，具有如式(I)所示的结构：其中：R1分别独立选自：C2～C6烷基，C1～C6烷氧基，C1～C6烷硫基，或各R分别独立选自：C1～C6烷基、C1～C6烷氧基、乙酰氨基或卤素；m为1，2或3；X选自R2选自被取代或未被取代的C1～C20亚烷基或A为取代或未取代的C2～C20亚烷基，n为＞0的整数；*表示连接位点。2.根据权利要求1所述的四氮唑类化合物，其特征在于，所述R1分别独立选自：C2～C6烷基，C1～C6烷氧基，或各R分别独立选自C1～C6烷基、C1～C6烷氧基、乙酰氨基。3.根据权利要求1或2所述的四氮唑类化合物，其特征在于，所述R2选自未被取代的C1～C10亚烷基或A为未取代的C2～C10亚烷基，n为1至10中的任一整数。4.根据权利要求1所述的四氮唑类化合物，其特征在于，具有如下任一所示的结构：2CN115960052A权利要求书2/5页3CN115960052A权利要求书3/5页4CN115960052A权利要求书4/5页5.一种四氮唑类化合物的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：5CN115960052A权利要求书5/5页将环氧化合物、具有式(II)所示的化合物与碱混合，反应，制备具有如式(I)所示的四氮唑类化合物；所述环氧化合物为R1分别独立选自：C2～C6烷基，C1～C6烷氧基，C1～C6烷硫基，或各R分别独立选自：C1～C6烷基、C1～C6烷氧基、乙酰氨基或卤素；m为1，2或3；X选自R2选自被取代或未被取代的C1～C20亚烷基或A为取代或未取代的C2～C20亚烷基，n为＞0的整数；*表示连接位点。6.根据权利要求5所述的四氮唑类化合物的制备方法，其特征在于，所述环氧化合物与具有式(II)所示的化合物的摩尔比为1:(2～2.5)；和/或所述碱为甲醇钠、氢氧化钠、碳酸钾和三乙胺和中的一种或几种；和/或反应的温度为50℃～80℃。7.根据权利要求5或6所述的四氮唑类化合物的制备方法，其特征在于，所述具有式(II)所示的化合物选自：1‑乙基‑5‑巯基‑1H‑四氮唑、5‑巯基‑1‑(4‑甲氧苯基)‑1H‑四唑、1‑(4‑乙氧苯基)‑5‑巯基‑1H‑四唑或1‑(3‑乙酰氨基苯基)‑5‑巯基四唑；所述环氧化合物选自：环氧氯丙烷、1,2,7,8‑二环氧辛烷、1,4‑丁二醇二缩水甘油醚、乙二醇二缩水甘油醚、二乙二醇二缩水甘油醚或二丙二醇二缩水甘油醚。8.一种键合剂，其特征在于，包含权利要求1至4任一项所述的四氮唑类化合物，或根据权利要求5至7任一项所述的四氮唑类化合物的制备方法制得的四氮唑类化合物。9.一种金属表面处理液，其特征在于，包含权利要求8所述的键合剂。10.权利要求9所述的金属表面处理液在制备印制电路板中的应用。6CN115960052A说明书1/25页四氮唑类化合物及其制备方法和应用技术领域[0001]本发明涉及金属表面处理领域，特别涉及一种四氮唑类化合物及其制备方法和应用。背景技术[0002]在传统印制电路板(Printedcircuitboard，简称PCB)多层板加工工艺中，目前主要采用棕化处理提升铜面和树脂之间的结合力，棕化是以硫酸/双氧水为基础的铜面微蚀型处理工艺，铜面经棕化处理够会形成均匀蜂窝状结构，提升铜表面粗糙度，增大铜面和树脂接触面积和物理锚固作用，从而提升两者的结合力。[0003]在高频高速PCB制造领域，由于高频高速信号对信号完整性提出更严苛的要求，同时由于趋肤效应的影响，传统高粗糙度棕化已经不能满足高频高速信号传输损耗的需求，因此PCB多层板加工工艺中，铜面表面处理逐渐向低粗糙度方向发展。铜面粗糙度降低会使铜面和树脂物理锚固作用减弱