一种半导体结构及其制造方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115966513A(43)申请公布日2023.04.14(21)申请号202310086274.6(22)申请日2023.01.17(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230601安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号(72)发明人高远皓王春阳(74)专利代理机构北京派特恩知识产权代理有限公司11270专利代理师王花丽蒋雅洁(51)Int.Cl.H01L21/768(2006.01)权利要求书2页说明书11页附图9页(54)发明名称一种半导体结构及其制造方法(57)摘要本公开提供一种半导体结构及其制造方法，所述半导体结构包括：衬底；第一介质层，覆盖所述衬底的上表面；第一导电层，至少包括第一子层，所述第一子层覆盖所述第一介质层的部分上表面；第二导电层，覆盖所述第一导电层；其中，所述第一导电层在固体中的扩散系数小于所述第二导电层在固体中的扩散系数；导电通孔，所述导电通孔从与所述衬底相对的下表面延伸至所述第一子层并暴露所述第一子层。CN115966513ACN115966513A权利要求书1/2页1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；第一介质层，覆盖所述衬底的上表面；第一导电层，至少包括第一子层，所述第一子层覆盖所述第一介质层的部分上表面；第二导电层，覆盖所述第一导电层；其中，所述第一导电层的在固体中的扩散系数小于所述第二导电层的在固体中的扩散系数；导电通孔，所述导电通孔从与所述衬底相对的下表面延伸至所述第一子层并暴露所述第一子层。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：位于所述第一介质层内的至少一个接触孔；所述第一导电层还包括第二子层和第三子层，所述第二子层填充所述接触孔，所述第三子层位于所述第一介质层上并与所述第二子层相连。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第三子层的上表面与所述第一子层的上表面齐平，且所述第一子层和所述第三子层相互分立设置。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一导电层的材料包括钨。5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一导电层包括钨层，所述钨层包括钨种子层和覆盖所述钨种子层的钨主体层。6.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：位于所述第一介质层上的第二介质层，所述第二介质层内具有多个开口，多个所述开口包括至少一个第一开口，所述第一开口的底部暴露所述第一子层，所述第二导电层覆盖被所述第一开口暴露的所述第一子层并填充所述第一开口。7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，多个所述开口还包括至少一个第二开口，所述第二开口的底部暴露所述第三子层，所述第二导电层覆盖被所述第二开口暴露的所述第三子层并填充所述第二开口。8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述第二导电层包括晶种层和主体层，所述晶种层覆盖所述开口的侧壁以及被所述开口的底部暴露的所述第一子层和所述第三子层，所述主体层填充所述开口。9.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：第三导电层，所述第三导电层位于所述第二导电层的侧壁和所述第二介质层之间；其中，所述第三导电层在固体中的扩散系数小于所述第二导电层在固体中的扩散系数。10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：第四导电层，所述第四导电层位于所述导电通孔内。11.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述衬底的上表面；形成第一导电层，所述第一导电层至少包括覆盖所述第一介质层的部分上表面的第一子层；形成第二导电层，所述第二导电层覆盖所述第一导电层；其中，所述第一导电层在固体中的扩散系数小于所述第二导电层在固体中的扩散系数；从与所述衬底的上表面相对的下表面向所述第一子层刻蚀所述衬底和所述第一介质2CN115966513A权利要求书2/2页层，形成暴露所述第一子层的导电通孔。12.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于，形成第一导电层，包括：刻蚀所述第一介质层以形成至少一个接触孔；形成第一导电材料层，所述第一导电材料层填充所述接触孔并覆盖所述第一介质层的上表面；其中，填充所述接触孔的所述第一导电材料层定义为第二子层；刻蚀所述第一导电材料层覆盖所述第一介质层上表面的部分，以形成所述第一子层和第三子层，所述第三子层位于所述第一介质层上并与所述第二子层相连，所述第一子层位于所述接触孔的周边区域。13.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，形成第二导电层，包括：形成第二介质层，所述第二介质层覆盖所述第一子层、所述第三子层和所述第一介质层；刻蚀所述第二介质层以形成多个开口，多个所述开口包括至少