一种半导体结构及其制造方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115985885A(43)申请公布日2023.04.18(21)申请号202111190824.6(22)申请日2021.10.13(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230000安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号(72)发明人刘志拯(74)专利代理机构北京派特恩知识产权代理有限公司11270专利代理师高天华张颖玲(51)Int.Cl.H01L23/538(2006.01)H01L27/088(2006.01)H10B12/00(2023.01)H01L21/768(2006.01)H01L21/8234(2006.01)权利要求书2页说明书11页附图6页(54)发明名称一种半导体结构及其制造方法(57)摘要本公开实施例公开了一种半导体结构及其制造方法，所述半导体结构包括：衬底以及位于衬底内的导电通孔、第一导电类型晶体管及第二导电类型晶体管；其中，第一导电类型晶体管沿第一方向设置于导电通孔的两侧；第二导电类型晶体管沿第二方向设置于导电通孔的另外两侧；第一方向与第二方向垂直；第一金属层，位于衬底上，第一金属层包括至少一条沿第一方向延伸的第一金属线，第一金属线与第一导电类型晶体管的栅极电连接；第二金属层，位于第一金属层上，第二金属层包括至少一条沿第二方向延伸的第二金属线，第二金属线与第二导电类型晶体管的栅极电连接；其中，第一金属线和第二金属线相互交叉构成覆盖导电通孔的网格结构。CN115985885ACN115985885A权利要求书1/2页1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底以及位于所述衬底内的导电通孔、第一导电类型晶体管及第二导电类型晶体管；其中，所述第一导电类型晶体管沿第一方向设置于所述导电通孔的两侧；所述第二导电类型晶体管沿第二方向设置于所述导电通孔的另外两侧；所述第一方向与所述第二方向垂直；第一金属层，位于所述衬底上，所述第一金属层包括至少一条沿第一方向延伸的第一金属线，所述第一金属线与所述第一导电类型晶体管的栅极电连接；第二金属层，位于所述第一金属层上，所述第二金属层包括至少一条沿第二方向延伸的第二金属线，所述第二金属线与所述第二导电类型晶体管的栅极电连接；其中，所述第一金属线和所述第二金属线相互交叉构成覆盖所述导电通孔的网格结构。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一金属线的数量为多条，多条所述第一金属线沿第二方向均匀排列；和/或，所述第二金属线的数量为多条，多条所述第二金属线沿第一方向均匀排列。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，多条所述第一金属线之间的间距在0.5微米至2微米之间；和/或，多条所述第二金属线之间的间距在0.5微米至2微米之间。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一导电类型晶体管为n型晶体管，所述第二导电类型晶体管为p型晶体管。5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一导电类型晶体管的沟道方向与所述第一方向平行；所述第二导电类型晶体管的沟道方向与所述第二方向垂直。6.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一导电类型晶体管的沟道方向与所述第一方向垂直；所述第二导电类型晶体管的沟道方向与所述第二方向平行。7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括中间金属层和导电插塞；所述中间金属层位于所述第一金属层和所述衬底之间，所述导电插塞包括位于所述中间金属层和所述第一金属层之间的至少一个第一子插塞、以及位于所述第一金属层与所述第二金属层之间的至少一个第二子插塞。8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述第一金属线与所述第一导电类型晶体管的栅极电连接，包括：所述第一金属线通过所述第一子插塞、所述中间金属层与所述第一导电类型晶体管的栅极电连接。9.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述第一金属层还包括第一布线结构；所述第二金属线与所述第二导电类型晶体管的栅极电连接，包括：所述第二金属线通过所述第二子插塞、所述第一布线结构、所述第一子插塞、所述中间金属层与所述第二导电类型晶体管的栅极电连接。10.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，至少一条所述第一金属线和至少一条所述第二金属线在交叉处通过所述第二子插塞电连接。11.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述中间金属层包括金属焊盘，所述金属焊盘位于所述导电通孔的上表面；至少一条所述第一金属线通过所述第一子插塞与所述金属焊盘电连接。12.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底包括夹设于所述第一导2CN115985885A权利要求书2/2页电类型晶体管和所述第二导电类型晶体管之间的角区域，所述角区域与所述导电通孔的距离在1微米至20微米之