一种水平对中校准夹具、拉晶炉及水平对中校准方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110952134A(43)申请公布日2020.04.03(21)申请号201911311540.0(22)申请日2019.12.18(71)申请人西安奕斯伟硅片技术有限公司地址710065陕西省西安市高新区锦业路1号都市之门A座1323室(72)发明人潘浩其他发明人请求不公开姓名(74)专利代理机构西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)61230代理人刘长春(51)Int.Cl.C30B15/12(2006.01)C30B15/20(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图2页(54)发明名称一种水平对中校准夹具、拉晶炉及水平对中校准方法(57)摘要本发明公开了一种水平对中校准夹具，包括：若干支撑架、若干第一平衡件以及若干可为竖直状态或水平状态的测量组件，其中，所述第一平衡件设置于所述支撑架上，所述测量组件活动设置于所述支撑架上，且所述测量组件处于竖直状态时，所述测量组件以第一校准值为基准测量待测量件的第一状态，所述测量组件处于水平状态时，所述测量组件以第二校准值为基准测量待测量件的第二状态。本发明所提供的水平对中校准夹具可以确保待测量件处于水平对中状态，为后续处理工序奠定基础。CN110952134ACN110952134A权利要求书1/1页1.一种水平对中校准夹具，其特征在于，包括：若干支撑架、若干第一平衡件以及若干可为竖直状态或水平状态的测量组件，其中，所述第一平衡件设置于所述支撑架上，所述测量组件活动设置于所述支撑架上，且所述测量组件处于竖直状态时，所述测量组件以第一校准值为基准测量待测量件的第一状态，所述测量组件处于水平状态时，所述测量组件以第二校准值为基准测量待测量件的第二状态。2.根据权利要求1所述的水平对中校准夹具，其特征在于，所述测量组件包括可在所述支撑架上进行水平移动、竖直移动和转动的测量尺以及可在所述测量尺上移动的测量指针，所述测量指针移动至所述测量尺上所述第一校准值对应的位置以确定所述待测量件的第一状态，所述测量指针移动至测量尺上所述第二校准值对应的位置以确定所述待测量件的第二状态。3.根据权利要求2所述的水平对中校准夹具，其特征在于，还包括若干圆形的调节件，所述调节件活动设置于所述支撑架上，所述调节件的圆周方向上设置有用于啮合的若干第一凸起部分，所述测量尺上设置有用于啮合的若干第二凸起部分，所述测量尺通过所述第二凸起部分与所述第一凸起部分相互啮合以使所述测量尺竖直移动和转动。4.根据权利要求3所述的水平对中校准夹具，其特征在于，所述支撑架上设置有水平方向的滑槽，所述调节件的两侧面上设置有滑杆；其中，所述调节件的滑杆设置于所述滑槽中以使所述调节件沿所述滑槽移动时带动所述测量尺进行水平移动。5.根据权利要求4所述的水平对中校准夹具，其特征在于，所述测量尺还包括第二平衡件，所述第二平衡件设置于所述测量尺上。6.根据权利要求1所述的水平对中校准夹具，其特征在于，所述第一平衡件包括透明承载件、液体和气泡，其中，所述液体设置于所述透明承载件的内腔中，且所述气泡设置于所述液体中。7.根据权利要求1至6任一项所述的水平对中校准夹具，其特征在于，所述测量组件对称设置在所述支撑架的两端。8.根据权利要求1所述的水平对中校准夹具，其特征在于，还包括吊链、吊扣和软质吸盘，其中，所述吊链的一端连接于所述支撑架上，所述吊链的另一端通过所述吊扣连接于所述软质吸盘上。9.一种拉晶炉，其特征在于，包括权利要求1至8任一项所述的水平对中校准夹具。10.一种水平对中校准方法，其特征在于，包括：将支撑架放置于拉晶炉中的主炉室上；通过设置在所述支撑架上的第一平衡件确定所述支撑架处于水平状态；通过使测量组件处于竖直状态以判断待测量件的第一状态，若所述第一状态为待测量件未处于水平状态，则调整所述待测量件至水平状态；通过使所述测量组件处于水平状态以判断所述待测量件的第二状态，若所述第二状态为所述待测量件未处于对中状态，则调整所述待测量件至对中状态。2CN110952134A说明书1/7页一种水平对中校准夹具、拉晶炉及水平对中校准方法技术领域[0001]本发明属于校准技术领域，具体涉及一种水平对中校准夹具、拉晶炉及水平对中校准方法。背景技术[0002]作为单晶硅的制造方法，有区熔法和切克劳斯基法，单晶硅的制造方法目前通常采用切克劳斯基法(Czochralski，CZ)。切克劳斯基法是将多晶硅料收容在设置于拉晶炉炉膛内的石英坩埚里，通过加热器对多晶硅料进行加热融化，再将棒状晶种(即籽晶)与多晶硅料的熔融液面接触，在工艺要求合适的温度下，熔液中的硅原子会顺着棒状晶种的硅原子的排列结构在固液交界面上形成规则的结晶而成为单晶硅，将棒状晶种