一种单晶炉提拉头校准装置及校准方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111893562A(43)申请公布日2020.11.06(21)申请号202010818393.2G01M1/12(2006.01)(22)申请日2020.08.14(71)申请人内蒙古中环领先半导体材料有限公司地址010070内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区宝力尔街15号(72)发明人李仕权周宏邦娄中士王淼张强侯明超张庆虎郝朝旭孔凯斌王立刚郝小龙(74)专利代理机构天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)12213代理人栾志超(51)Int.Cl.C30B15/20(2006.01)C30B15/30(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称一种单晶炉提拉头校准装置及校准方法(57)摘要本发明提供一种单晶炉提拉头校准装置，包括：与重锤连接的固定部；校准部；以及用于连接所述固定部和所述校准部的连接部；所述固定部、所述连接部和所述校准部同轴心设置；所述校准部为锥形体结构且其小径端靠近所述连接部一侧设置；所述校准部大径端为平整平面。本发明还提出一种采用该校准装置的单晶炉提拉头校准方法。本发明设计的校准装置及校准方法，可精准地对提拉头重心水平位置进行校准，保证其对中不发生偏移，校准效果好且校准效率高，无需过多其它装置配合即可完成提拉头的校准工作，结构简单且易于加工。CN111893562ACN111893562A权利要求书1/1页1.一种单晶炉提拉头校准装置，其特征在于，包括：与重锤连接的固定部；校准部；以及用于连接所述固定部和所述校准部的连接部；所述固定部、所述连接部和所述校准部同轴心设置；所述校准部为锥形体结构且其小径端靠近所述连接部一侧设置；所述校准部大径端为平整平面。2.根据权利要求1所述的一种单晶炉提拉头校准装置，其特征在于，所述校准部高度小于所述连接部高度，且其小径端直径与所述连接部直径相同。3.根据权利要求1或2所述的一种单晶炉提拉头校准装置，其特征在于，所述校准部大径端一侧设有凹槽，所述凹槽开口朝远离所述连接部一侧设置。4.根据权利要求3所述的一种单晶炉提拉头校准装置，其特征在于，所述凹槽与所述校准部同轴心设置；所述凹槽为圆台形结构，且其母线夹角与所述校准部母线夹角相同。5.根据权利要求4所述的一种单晶炉提拉头校准装置，其特征在于，所述凹槽高度大于所述校准部高度的1/2，且小于所述校准部高度的4/5；所述校准部高度不大于180mm。6.根据权利要求1-2、4-5任一项所述的一种单晶炉提拉头校准装置，其特征在于，所述连接部为柱状结构，且分别与所述固定部和所述校准部一体连接设置。7.根据权利要求6所述的一种单晶炉提拉头校准装置，其特征在于，所述固定部远离所述连接部一侧为柱体结构，靠近所述连接部一侧为倒锥形结构，且所述固定部最小直径大于所述连接部直径。8.一种单晶炉提拉头校准方法，其特征在于，采用如权利要求1-7任一项所述的校准装置，步骤包括：控制置于单晶炉主炉内的水平仪升至引晶埚位处；操作所述重锤和所述校准装置向下移动至所述水平仪上端面；以设定转速使所述校准装置旋转；观察所述连接部投影中心与所述水平仪投影中心是否重合。9.根据权利要求8所述的一种单晶炉提拉头校准方法，其特征在于，所述校准装置的转速为10-12r/min，旋转1-2min。10.根据权利要求9所述的一种单晶炉提拉头校准方法，其特征在于，观察所述连接部投影中心与所述水平仪投影中心的位置是通过调整所述单晶炉上的CCD摄像机而获得的显示图像。2CN111893562A说明书1/4页一种单晶炉提拉头校准装置及校准方法技术领域[0001]本发明属于单晶炉校准设备技术领域，尤其是涉及一种单晶炉提拉头校准装置及校准方法。背景技术[0002]单晶炉提拉系统是单晶炉关键部件之一，其中提拉头是提拉系统中的主要部件，在直拉单晶生产过程中，提拉头带动籽晶旋转地向下移动，以使籽晶进入到石英坩埚内晶体溶液液面内，而后再以一定的提拉速度缓慢地向上提升，生产出需要的单晶棒。提拉头的重心水平位置及对中情况都直接影响着单晶棒的质量，而由于提拉头长时间的运行，其重心水平位置及对中的效果会有所变化，导致其重心水平位置发生偏移，无法对中，提拉稳定性差，从而影响拉晶的速度和结晶的质量，进而影响产品的成品率。故，如何设计一种校准提拉头的装置及校准方法，解决其重心水平位置偏移、对中性差的技术问题，是提高单晶拉制品质、降低生产成本的关键问题。发明内容[0003]本发明提供一种单晶炉提拉头校准装置及校准方法，解决了现有技术中提拉头重心水平位置偏移、对中性差的技术问题。[0004]为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：[0005]一种单晶炉提拉头校准装置，包括：[0006]与重锤连接的固定部；[0007