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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115976630A(43)申请公布日2023.04.18(21)申请号202211602739.0(22)申请日2022.12.13(71)申请人西安奕斯伟材料科技有限公司地址710000陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室申请人西安奕斯伟硅片技术有限公司(72)发明人纪天平张鹏举(74)专利代理机构北京银龙知识产权代理有限公司11243专利代理师李清风(51)Int.Cl.C30B15/02(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图2页(54)发明名称二次加料系统和二次加料方法(57)摘要本发明涉及一种二次加料系统,包括单晶炉和二次加料装置,所述二次加料装置包括加料筒、提拉杆和石英锥,所述加料筒的外周面上设置有凸环,所述单晶炉包括主炉室和副炉室,所述副炉室的内侧壁上设置有与所述凸环相配合的挡块,所述二次加料系统还包括第一移动结构,所述第一移动结构用于控制所述挡块进行升降运动。本发明还涉及一种二次加料方法。通过所述第一移动结构的设置,可以实现所述挡块的升降,从而实现加料筒的单独升降,增大加料筒和石英锥之间的间距,解决卡料问题,且不会造成加料筒的损伤。CN115976630ACN115976630A权利要求书1/2页1.一种二次加料系统,包括单晶炉和二次加料装置,所述二次加料装置包括加料筒、提拉杆和石英锥,所述加料筒的外周面上设置有凸环,所述单晶炉包括主炉室和副炉室,所述副炉室的内侧壁上设置有与所述凸环相配合的挡块,其特征在于,所述二次加料系统还包括第一移动结构,所述第一移动结构用于控制所述挡块进行升降运动。2.根据权利要求1所述的二次加料系统,其特征在于,所述第一移动结构包括丝杠,所述挡块螺旋设置于所述丝杠上。3.根据权利要求2所述的二次加料系统,其特征在于,所述副炉室的内侧壁上设置有轨道,所述挡块可移动的设置于所述轨道上。4.根据权利要求3所述的二次加料系统,其特征在于,所述副炉室的内侧壁上设置有作为所述轨道的卡槽,所述卡槽的延伸方向与所述单晶炉的轴向方向相平行,所述挡块用于与所述内侧壁连接的侧面上设有凸起,所述凸起滑动连接于所述卡槽内。5.根据权利要求1所述的二次加料系统,其特征在于,还包括第二移动结构,用于控制所述加料筒进行升降运动。6.根据权利要求5所述的二次加料系统,其特征在于,所述第二移动结构包括驱动部和传动连接部,所述传动连接部连接于所述驱动部和所述加料筒之间。7.根据权利要求6所述的二次加料系统,其特征在于,所述传动连接部包括至少两个相对设置的传动连杆,所述传动连杆连接于所述加料筒的外周面上,且所述传动连杆连接于所述凸环远离所述石英锥的一侧。8.根据权利要求6所述的二次加料系统,其特征在于,所述传动连接部包括至少两个相对设置的传动连杆,所述传动连杆连接于所述凸环远离所述石英锥的侧面上。9.一种二次加料方法,其特征在于,采用权利要求1‑8任一项所述的二次加料系统进行二次加料,包括以下步骤:控制装载有硅料的所述加料筒进入所述单晶炉,直至所述加料筒上的凸环与所述副炉室内的挡块相接触;控制所述石英锥与所述加料筒分离,以使得硅料下落;在下落的硅料卡设于所述加料筒和所述石英锥之间以致于无法继续加料时,通过所述第一移动结构控制所述挡块上升以带动所述加料筒上升,以加大所述石英锥和所述加料筒之间的间距,以继续进行加料。10.一种二次加料方法,其特征在于,采用权利要求1‑8任一项所述的二次加料系统进行二次加料,所述二次加料系统还包括第二移动结构,用于控制所述加料筒进行升降运动;所述二次加料方法包括以下步骤:控制装载有硅料的所述加料筒进入所述单晶炉,直至所述加料筒上的凸环与所述副炉室内的挡块相接触;控制所述石英锥与所述加料筒分离,以使得硅料下落;在下落的硅料卡设于所述加料筒和所述石英锥之间以致于无法继续加料时,通过所述第一移动结构控制所述挡块上升以带动所述加料筒上升,以加大所述石英锥和所述加料筒之间的间距,以继续进行加料;或者,在下落的硅料卡设于所述加料筒和所述石英锥之间以致于无法继续加料时,通过所述第二移动结构控制所述加料筒上升,以加大所述石英锥和2CN115976630A权利要求书2/2页所述加料筒之间的间距,以继续进行加料。3CN115976630A说明书1/5页二次加料系统和二次加料方法技术领域[0001]本发明涉及二次加料技术领域,尤其涉及一种二次加料系统和二次加料方法。背景技术[0002]在半导体领域,硅单晶棒拉制过程中,需要进行初始装料,装入大小硅料到石英坩埚中,初始装料的重量不足以拉制硅棒需要的长度,所以需要把初始硅料融化缩减空间后进行二次加料,以便达到需求长度晶棒对应的重量进行拉晶。二次加料时由