超声换能基板、换能基板的制作方法以及检测方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115971021A(43)申请公布日2023.04.18(21)申请号202211646457.0(22)申请日2022.12.19(71)申请人京东方科技集团股份有限公司地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号(72)发明人崔钊赵仲兰张锋刘文渠吕志军董立文孟德天侯东飞李禹桥宋梦亚李国腾(74)专利代理机构北京润泽恒知识产权代理有限公司11319专利代理师苟冬梅(51)Int.Cl.B06B1/06(2006.01)H10N30/074(2023.01)权利要求书2页说明书16页附图7页(54)发明名称超声换能基板、换能基板的制作方法以及检测方法(57)摘要本公开提供了一种超声换能基板、换能基板的制作方法以及检测方法，超声换能基板包括：基底，以及位于所述基底上的多个发射单元和多个接收单元；其中：所述发射单元，包括第一换能结构层，所述第一换能结构层被配置为将接收到的电信号转换为超声波信号；所述接收单元，包括像素电路结构，以及与所述像素电路结构耦合的第二换能结构层，所述像素电路结构靠近所述基底设置，所述第二换能结构层被配置为将接收到的超声波信号转换为电信号后输入给所述像素电路结构。CN115971021ACN115971021A权利要求书1/2页1.一种超声换能基板，其特征在于，包括：基底，以及位于所述基底上的多个发射单元和多个接收单元；其中：所述发射单元，包括第一换能结构层，所述第一换能结构层被配置为将接收到的电信号转换为超声波信号；所述接收单元，包括像素电路结构，以及与所述像素电路结构耦合的第二换能结构层，所述像素电路结构靠近所述基底设置，所述第二换能结构层被配置为将接收到的超声波信号转换为电信号后输入给所述像素电路结构。2.根据权利要求1所述的超声换能基板，其特征在于，所述第一换能结构层包括：第一空腔，靠近所述基底设置；第一钝化层，位于所述第一空腔背离所述基底一侧，所述第一钝化层在所述基底上的正投影覆盖所述第一空腔在所述基底上的正投影；第一电极层，位于所述第一钝化层背离所述基底一侧；；压电结构层，位于所述第一电极层背离所述基底一侧，所述压电结构层包括至少一层第一压电层；第二电极层，位于远离所述基底一侧的第一压电层上。3.根据权利要求2所述的超声换能基板，其特征在于，所述压电结构层包括两层所述第一压电层，两层所述第一压电层之间设置第三电极层；其中，所述第二电极层和所述第一电极层接地，或者所述第三电极层接地。4.根据权利要求2所述的超声换能基板，其特征在于，所述第一压电层的材料包括以下至少之一：有机P(VDF‑TrFE‑CTE)三元共聚物和有机P(VDF‑TrFE)二元共聚物。5.根据权利要求2所述的超声换能基板，其特征在于，所述第一钝化层在所述基底上的正投影的尺寸，与所述第一空腔在所述基底上的正投影的尺寸之比大于或等于1.2，且小于或等于1.5。6.根据权利要求1所述的超声换能基板，其特征在于，所述第二换能结构层，包括：第二钝化层，靠近所述基底设置；第四电极层，位于所述第二钝化层背离基底一侧，且所述第四电极层与所述像素电路结构耦合；第二压电层，位于所述第四电极层背离所述基底一侧；；第五电极层，位于所述第二压电层背离所述基底一侧。7.根据权利要求6所述的超声换能基板，其特征在于，所述第二换能结构层，还包括：第二空腔，位于所述第二钝化层靠近所述基底的一侧，所述第二钝化层在所述基底上的正投影覆盖所述第二空腔在所述基底上的正投影。8.根据权利要求6所述的超声换能基板，其特征在于，所述第二压电层的材料包括有机P(VDF‑TrFE)二元共聚物。9.根据权利要求1所述的超声换能基板，其特征在于，所述第一换能结构层包括至少一层第一压电层，所述第二换能结构层包括至少一层第二压电层，其中，所述第一压电层的层数与所述第二压电层的层数相同或不同。10.根据权利要求1所述的超声换能基板，其特征在于，所述第一换能结构层包括至少一层第一压电层，所述第二换能结构层包括至少一层第二压电层，所述第一压电层与所述2CN115971021A权利要求书2/2页第二压电层的材料相同或不同。11.根据权利要求9或10所述的超声换能基板，其特征在于，所述第二换能结构层包括一层所述第二压电层，在与所述基底的器件承载平面相垂直的方向上，所述第二压电层的尺寸，大于或等于所述第一换能结构层中至少一个第一压电层的尺寸之和。12.根据权利要求9或10所述的超声换能基板，其特征在于，所述第二压电层与所述第一换能结构层中的第一压电层同层设置。13.根据权利要求1至10任一所述的超声换能基板，其特征在于，多个所述发射单元和所述多个接收单元在所述基底上阵列排布；其中，一个所述接收单元与至少两个所述接收单元相邻。14.一种超声换