超声换能器及其制作方法以及超声换能系统.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115971020A(43)申请公布日2023.04.18(21)申请号202310078089.2(22)申请日2023.01.17(71)申请人京东方科技集团股份有限公司地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号(72)发明人孟德天于勇张锋崔钊侯东飞董立文吕志军李禹桥刘文渠(74)专利代理机构北京博思佳知识产权代理有限公司11415专利代理师梁鹏(51)Int.Cl.B06B1/02(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图2页(54)发明名称超声换能器及其制作方法以及超声换能系统(57)摘要本申请提供一种超声换能器及其制作方法以及超声换能系统。超声换能器包括第一基板，包括第一基底、多个第一电极以及多个筒状结构；多个第一电极间隔分布于第一基底的一侧；多个筒状结构间隔分布于第一基底的一侧，多个筒状结构对应围绕多个第一电极；筒状结构高于第一电极；第二基板，与第一基板相对设置，且包括第二基底、多个第二电极以及振膜，多个第二电极间隔分布于第二基底面向第一基底的一侧，且多个第二电极与多个第一电极对应，振膜设于第二电极面向第一电极的一侧；多个筒状结构支撑于振膜面向第一基底的一侧。本申请可以解决振膜易塌陷的问题。CN115971020ACN115971020A权利要求书1/2页1.一种超声换能器，其特征在于，包括：第一基板，包括第一基底、多个第一电极以及多个筒状结构；多个所述第一电极间隔分布于所述第一基底的一侧；多个所述筒状结构间隔分布于所述第一基底的一侧，多个所述筒状结构对应围绕多个所述第一电极；所述筒状结构高于所述第一电极；第二基板，与所述第一基板相对设置，且包括第二基底、多个第二电极以及振膜，多个所述第二电极间隔分布于所述第二基底面向所述第一基底的一侧，且多个所述第二电极与多个所述第一电极对应，所述振膜设于所述第二电极面向所述第一电极的一侧；多个所述筒状结构支撑于所述振膜面向所述第一基底的一侧。2.根据权利要求1所述的超声换能器，其特征在于，多个所述第一电极中包括多个第一电极组，所述第一电极组中的电极沿第一方向分布；多个所述第二电极中包括多个第二电极组，所述第二电极组中的电极沿第二方向分布；第一方向与第二方向交叉；所述第一电极组内的电极通过第一连线电连接，所述第二电极组内的电极通过第二连线电连接。3.根据权利要求2所述的超声换能器，其特征在于，多个所述第一电极呈矩形阵列分布，多个所述第二电极对应呈矩形阵列分布；所述第一方向与所述第二方向正交。4.根据权利要求2所述的超声换能器，其特征在于，所述第一连线与所述第一电极同层设置，所述筒状结构覆盖部分所述第一连线；所述第二连线与所述第二电极同层设置，所述振膜覆盖部分所述第二连线。5.根据权利要求1或3所述的超声换能器，其特征在于，所述超声换能器还包括第一限位件和第二限位件，所述第一限位件和所述第二限位件中的一个设置于所述第一基底面向第二基底的一侧，另一个设置于所述第二基底面向所述第一基底的一侧；所述第一限位件与所述第二限位件位置对应且相互配合。6.根据权利要求5所述的超声换能器，其特征在于，所述超声换能器包括多个所述第一限位件及所述第二限位件；多个所述第一限位件呈矩形阵列排布；多个所述第一电极构成的矩形阵列与多个所述第一限位件构成的矩形阵列错位排布。7.根据权利要求5所述的超声换能器，其特征在于，所述第二限位件呈圆锥状，且所述第二限位件的圆锥尖端朝向所述第一限位件；所述第二限位件主体为高分子材料，所述主体表面镀有一层金属薄膜。8.根据权利要求1所述的超声换能器，其特征在于，所述筒状结构为圆柱形筒或多边形筒，所述多边形筒边数大于3；所述筒状结构中部空腔为振动空腔。9.一种超声系统，其特征在于，包括如权利要求1‑8中任一项所述的超声换能器。10.一种超声换能器的制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供第一基板，所述第一基板包括第一基底、多个第一电极以及筒状结构；多个所述第一电极间隔分布于所述第一基底的一侧；多个所述筒状结构设于所述第一基底的一侧，且间隔分布，多个所述筒状结构对应围绕多个所述第一电极；所述筒状结构高于所述第一电极；提供第二基板，所述第二基板包括第二基底、多个第二电极以及振膜，多个所述第二电极间隔分布于所述第二基底面向所述第一基底的一侧，且多个所述第二电极与多个所述第一电极对应，所述振膜设于所述第二电极面向所述第一电极的一侧；多个所述筒状结构支撑于所述振膜面向所述第一基底的一侧；2CN115971020A权利要求书2/2页将所述第一基板与所述第二基板对盒。3CN115971020A说明书1/5页超声换能器及其制作方法以及超声换能系统技术领域[0001]本申请涉及超声换能器技术领域，尤其涉及一种连接器超声换能器及其