内埋电阻结构及其制作方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115996522A(43)申请公布日2023.04.21(21)申请号202111223404.3(22)申请日2021.10.20(71)申请人鹏鼎控股（深圳）股份有限公司地址518105广东省深圳市宝安区燕罗街道燕川社区松罗路鹏鼎园区厂房A1栋至A3栋申请人庆鼎精密电子（淮安）有限公司(72)发明人何明展徐筱婷(74)专利代理机构深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司44334专利代理师饶婕张小丽(51)Int.Cl.H05K3/30(2006.01)H05K3/06(2006.01)H05K1/16(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图7页(54)发明名称内埋电阻结构及其制作方法(57)摘要本申请提出一种内埋电阻结构的制作方法，包括：提供一基材层，所述基材层包括第一表面及第二表面，所述第一表面与所述第二表面相背设置且均设置有镀铜材料层；对所述镀铜材料层进行蚀刻，形成镀铜层，其中，所述镀铜层包括第一镀铜层及第二镀铜层，所述第一镀铜层形成于所述第一表面上，所述第二镀铜层形成于所述第二表面上；沿垂直于所述镀铜层方向在所述基材层上开设若干通孔；至少在所述通孔的内侧壁上形成电阻材料层；及形成保护层，以得到所述内埋电阻结构。另外本申请还提供一种内埋电阻结构，由所述内埋电阻结构的制作方法所制作。CN115996522ACN115996522A权利要求书1/2页1.一种内埋电阻结构的制作方法，其特征在于，包括：提供基材层，所述基材层包括第一表面及第二表面，所述第一表面与所述第二表面相背设置且均设置有镀铜材料层；对所述镀铜材料层进行蚀刻，形成镀铜层，其中，所述镀铜层包括第一镀铜层及第二镀铜层，所述第一镀铜层形成于所述第一表面上，所述第二镀铜层形成于所述第二表面上；沿垂直于所述镀铜层方向在所述基材层上开设若干通孔；至少在所述通孔的内侧壁上形成电阻材料层；及形成保护层，以得到所述内埋电阻结构。2.如权利要求1所述的内埋电阻结构的制作方法，其特征在于，所述至少在所述通孔的内侧壁上形成电阻材料层的步骤包括：在所述通孔的内侧壁上、至少部分所述第一镀铜层的远离所述基材层的表面上及至少部分所述第二镀铜层的远离所述基材层的表面上形成电阻材料层；所述形成保护层，以得到所述内埋电阻结构的步骤包括：在所述第一表面上、所述第二表面上及所述通孔内形成保护层，以得到所述内埋电阻结构。3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述沿垂直于所述镀铜层方向在所述基材层上开设若干通孔的步骤之前，包括：在所述基材表面开设若干凹槽；在所述凹槽的内侧壁上及至少部分所述镀铜层远离所述基材层的表面上形成部分电阻材料层；所述形成保护层，以得到所述内埋电阻结构的步骤包括：在所述第一表面上、所述第二表面上、所述通孔内及所述凹槽内形成保护层，以得到所述内埋电阻结构。4.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述在所述基材表面开设若干凹槽的步骤包括：在所述基材层表面不需要开设凹槽的位置贴上干膜；对所述基材层的表面进行等离子蚀刻，以形成所述凹槽；及去除所述干膜。5.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述在所述凹槽的内侧壁上及至少部分所述镀铜层远离所述基材层的表面上形成部分电阻材料层的步骤之后，还包括：计算当前所述电阻材料层与所述镀铜层所构成的当前内埋电阻的阻值，并根据所述当前内埋电阻的阻值与需求电阻的阻值确定所述通孔的数量。6.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述至少在所述通孔的内侧壁上形成电阻材料层的步骤包括：在所述通孔的内侧壁上、至少部分所述第一镀铜层的远离所述基材层的表面上及所述第二镀铜层的暴露于所述通孔内的表面上形成电阻材料层；所述形成保护层，以得到所述内埋电阻结构的步骤包括：在所述第一表面上、所述第二表面上及所述通孔内形成保护层，以得到所述内埋电阻结构。2CN115996522A权利要求书2/2页7.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述电阻材料层包含镍、铬、钨、镍磷合金及钛钨合金。8.一种内埋电阻结构的制作方法，其特征在于，包括：提供一基材层，所述基材层包括第一表面及第二表面，所述第一表面与所述第二表面相背设置且均设置有镀铜材料层；对所述镀铜材料层进行蚀刻，形成镀铜层于所述第一表面上；沿垂直于所述镀铜层方向在所述基材层上开设若干通孔；在所述基材层的所述第二表面上形成第一保护层；在所述通孔的内侧壁上、至少部分所述镀铜层远离所述基材层的表面上及所述第一保护层的暴露于所述通孔内的表面上形成电阻材料层；在所述基材层的所述第一表面上形成第二保护层。9.一种内埋电阻结构，其特征在于，所述内埋电阻结构采用如权利要求1‑7任一项所述的内埋电阻结构的制作方法制作而成。10.一种内埋电阻结构，其特征在于，所述内