集成电路半导体器件.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115996568A(43)申请公布日2023.04.21(21)申请号202211256454.6(22)申请日2022.10.13(30)优先权数据10-2021-01404902021.10.20KR(71)申请人三星电子株式会社地址韩国京畿道(72)发明人全寅铎权赫宇林汉镇(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司11021专利代理师孙尚白倪斌(51)Int.Cl.H10B12/00(2023.01)权利要求书2页说明书14页附图17页(54)发明名称集成电路半导体器件(57)摘要本公开涉及一种集成电路半导体器件，包括：下电极，形成在沿第一方向和垂直于第一方向的第二方向延伸的衬底上；以及支撑结构，支撑下电极。支撑结构包括：支撑图案，围绕下电极，沿第一方向和第二方向延伸，并具有下电极穿过的孔；以及凹凸结构，在支撑图案的表面处具有沿垂直于第一方向和第二方向的第三方向延伸的凸部和布置在凸部之间的多个凹部。CN115996568ACN115996568A权利要求书1/2页1.一种集成电路半导体器件，包括：下电极，形成在沿第一方向和垂直于所述第一方向的第二方向延伸的衬底上；以及支撑结构，支撑所述下电极，其中，所述支撑结构包括：支撑图案，围绕所述下电极，沿所述第一方向和所述第二方向延伸，并具有所述下电极穿过的第一孔；以及凹凸结构，在所述支撑图案的表面处具有沿垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向延伸的多个凸部和布置在所述凸部之间的多个凹部。2.根据权利要求1所述的集成电路半导体器件，其中，所述支撑结构包括下支撑结构和上支撑结构，所述下支撑结构支撑所述下电极的下部，所述上支撑结构在所述第三方向上与所述下支撑结构间隔开，并支撑所述下电极的上部。3.根据权利要求1所述的集成电路半导体器件，其中，所述支撑结构还包括穿过所述支撑图案的第二孔，并且在平面图中，所述第二孔具有连接相邻下电极的多边形形状。4.根据权利要求1所述的集成电路半导体器件，其中，所述支撑图案和所述凹凸结构包括相同的材料。5.根据权利要求1所述的集成电路半导体器件，其中，所述凹凸结构是形成在所述支撑图案上的纳米凹凸结构。6.根据权利要求1所述的集成电路半导体器件，其中，所述支撑图案和所述凹凸结构包括不同的材料。7.根据权利要求1所述的集成电路半导体器件，其中，所述支撑图案和所述凹凸结构包括碳氮化硅膜、包含硼的氮化硅膜或其组合。8.根据权利要求1所述的集成电路半导体器件，其中，所述凹凸结构包括第一凹凸结构和第二凹凸结构，所述第一凹凸结构形成在所述支撑图案的第一表面处，所述第二凹凸结构形成在与所述支撑图案的第一表面相对的所述支撑图案的第二表面处。9.根据权利要求1所述的集成电路半导体器件，其中，所述凹凸结构具有波浪形或阶梯形。10.根据权利要求1所述的集成电路半导体器件，其中，构成所述凹凸结构的所述凸部的截面具有三角形、矩形或椭圆形形状。11.根据权利要求1所述的集成电路半导体器件，其中，所述支撑图案包括与所述下电极接触的角部，并且所述支撑图案的角部具有弯曲的表面，所述弯曲的表面具有朝向所述下电极逐渐变小的厚度。12.一种集成电路半导体器件，包括：多个下电极，在沿第一方向和垂直于所述第一方向的第二方向延伸的衬底上彼此间隔开；支撑图案，沿所述第一方向和所述第二方向延伸，并且具有所述多个下电极穿过的多个第一孔；以及凹凸结构，在所述支撑图案的表面处具有沿垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向延伸的多个凸部和布置在所述凸部之间的多个凹部。13.根据权利要求12所述的集成电路半导体器件，其中，所述凹凸结构包括形成在所述2CN115996568A权利要求书2/2页支撑图案的表面上的集群结构。14.根据权利要求12所述的集成电路半导体器件，其中，所述凹凸结构包括形成在所述支撑图案上的纳米凹凸结构。15.根据权利要求12所述的集成电路半导体器件，其中，所述支撑图案的所述表面是沿所述第一方向和所述第二方向延伸的平坦表面。16.根据权利要求12所述的集成电路半导体器件，其中，穿过所述支撑图案的第二孔还形成在所述多个下电极之间，并且在平面图中，所述第二孔具有连接相邻下电极的多边形形状。17.根据权利要求12所述的集成电路半导体器件，其中，所述凹凸结构包括第一凹凸结构和第二凹凸结构，所述第一凹凸结构形成在所述支撑图案的第一表面处，所述第二凹凸结构形成在与所述支撑图案的第一表面相对的所述支撑图案的第二表面处，并且所述凹凸结构具有波浪形或阶梯形。18.一种集成电路半导体器件，包括：多个下电极，在沿第一方向和垂直于所述第一方向的第二方向延伸的衬底上彼此间隔开；上支撑结构，包括：上支撑图案，沿所述第一方向和所述第二方向延伸，并且具有