用于形成互连结构的方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115995426A(43)申请公布日2023.04.21(21)申请号202211265933.4(22)申请日2022.10.17(30)优先权数据21203176.92021.10.18EP(71)申请人IMEC非营利协会地址比利时勒芬(72)发明人G·西布罗特(74)专利代理机构上海专利商标事务所有限公司31100专利代理师蔡悦杨洁(51)Int.Cl.H01L21/8238(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图5页(54)发明名称用于形成互连结构的方法(57)摘要提供了一种用于形成用于第一晶体管和第二晶体管的互连结构的方法，其中第一晶体管包括水平延伸的第一沟道部分(112)，且所述第二晶体管包括水平延伸的第二沟道部分(122)，并且其中所述沟道部分在基板上被堆叠在彼此上方。该方法包括：形成在第二沟道部分的旁边和下方延伸的导电线(130)；在导电线上形成用于电接触第一沟道部分的第一垂直互连结构(132)；以及从背面减薄基板以从下方露出导电线。该方法还包括形成从下方露出第二沟道部分的通孔(146)；用导电材料填充所述通孔以形成第二垂直互连结构(142)；以及在第二垂直互连结构上形成导电结构(140)。CN115995426ACN115995426A权利要求书1/2页1.一种用于形成垂直地堆叠在基板(100)上的第一晶体管和第二晶体管的互连结构的方法，其中所述第一晶体管包括水平延伸的第一沟道部分(112)，且所述第二晶体管包括水平延伸的第二沟道部分(122)，并且其中所述第一沟道部分被布置在所述第二沟道部分的上方，所述方法包括：在所述基板中形成在所述第二沟道部分的旁边和下方延伸的导电线(130)；在所述导电线上形成用于电接触所述第一沟道部分的第一垂直互连结构(132)；从背面减薄所述基板以从下方露出所述导电线；形成从下方露出所述第二沟道部分的通孔(146)；用导电材料填充所述通孔以形成第二垂直互连结构(142)；以及在所述第二垂直互连结构上形成导电结构(140)。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：沉积覆盖所述导电线和所述第一和第二沟道部分的绝缘层(150)；在所述绝缘层中蚀刻出沟槽(152)以露出所述导电线以及第一和第二沟道部分；在第一和第二沟道部分的侧壁处形成隔墙(154)；以及用导电材料填充所述沟槽，从而形成至少部分地从上方接触所述第一沟道部分的所述第一垂直互连结构。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，还包括：在所述第一垂直互连结构上方形成结合层(160)；将载体晶片(162)结合到所述结合层；以及翻转所述基板，以允许从所述基板的背面进行加工。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，还包括：从所述背面形成与所述第二沟道部分对准的沟槽(144)；在所述沟槽的底部形成所述通孔(146)；以及沉积所述导电材料以填充所述通孔和所述沟槽，从而形成所述第二垂直互连和所述导电结构。5.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于，所述导电线的露出部分和所述导电结构线的露出部分被布置在同一垂直水平上。6.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于，还包括：外延地形成包括交替的沟道材料层和牺牲材料层的堆叠结构(102)；将所述堆叠结构图案化成鳍；以及从所述鳍的至少一部分移除牺牲材料层，其中所述沟道材料的剩余部分形成第一和第二沟道部分。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述沟道材料是由Si形成的，并且所述牺牲材料是由SiGe形成的。8.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，还包括形成至少部分地封闭所述第一和第二沟道部分的栅极结构(134)。9.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于，所述基板包括蚀刻停止层(104)，并且其中形成所述导电线包括向下蚀刻到所述蚀刻阻止层。10.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于，包括在所述基板中在所述2CN115995426A权利要求书2/2页第二沟道部分的相对侧上形成第一和第二导电线，其中所述第一垂直互连结构被布置成将所述第二沟道部分与所述第一和第二导电线中的每一者互连。11.一种半导体器件，包括：垂直地堆叠在基板(100)上的第一晶体管和第二晶体管，其中所述第一晶体管包括水平延伸的第一沟道部分(112)，且所述第二晶体管包括水平延伸的第二沟道部分(122)，并且其中所述第一沟道部分被布置在所述第二沟道部分的上方；布置在所述基板中并且在所述第二沟道部分的旁边和下方延伸的导电线(130)；布置在所述导电线上且用于接触所述第一沟道部分的第一垂直互连结构(132)；布置在所述第二沟道部分下方的导电结构(140)；以及在所述第二沟道部分和所述导电结构之间延伸的第二垂直互连