X射线成像装置、滤波结构及其制造方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115993373A(43)申请公布日2023.04.21(21)申请号202310197304.0(22)申请日2023.03.01(71)申请人同源微（北京）半导体技术有限公司地址100000北京市海淀区丰豪东路9号院2号楼4单元902(72)发明人李博刘强王洪波(74)专利代理机构北京成创同维知识产权代理有限公司11449专利代理师蔡纯冯丽欣(51)Int.Cl.G01N23/04(2018.01)H01L27/146(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图7页(54)发明名称X射线成像装置、滤波结构及其制造方法(57)摘要本申请公开了一种X射线成像装置、滤波结构及其制造方法。该X射线成像装置包括：滤波结构，对穿过被检目标的X射线进行滤波处理，以获得待测X射线；成像检测模块，检测所述待测X射线以获得所述被检目标的图像信号；以及处理模块，对所述图像信号进行处理以获得所述被检目标的图像，所述滤波结构至少划分为第一阵列和第二阵列，所述第一阵列和所述第二阵列分别对X射线进行不同程度的能量衰减，使得所述被检目标的图像至少为双能量图像。该X射线成像装置利用滤波结构对X射线进行不同程度的能量衰减，可以获得双能量图像甚至是多能量图像，图像识别精度高、效率高、检测速度快，且装置结构简单、成本低、可靠性高。CN115993373ACN115993373A权利要求书1/2页1.一种X射线成像装置，包括：滤波结构，对穿过被检目标的X射线进行滤波处理，以获得待测X射线；成像检测模块，检测所述待测X射线以获得所述被检目标的图像信号；以及处理模块，对所述图像信号进行处理以获得所述被检目标的图像，其中，所述滤波结构至少划分为第一阵列和第二阵列，所述第一阵列和所述第二阵列分别对X射线进行不同程度的能量衰减，使得所述被检目标的图像至少为双能量图像。2.根据权利要求1所述的X射线成像装置，其中，所述滤波结构包括第一结构层，形成所述第一结构层的材料对X射线具有低透过性，所述第一阵列内的所述第一结构层的总厚度和所述第二阵列内的所述第一结构层的总厚度不同。3.根据权利要求1所述的X射线成像装置，其中，所述滤波结构包括：沿第一方向交替堆叠的多个第一结构层和多个第二结构层，形成所述第一结构层的材料对X射线具有低透过性，形成所述第二结构层的材料对X射线具有高透过性，所述第一方向为所述滤波结构指向所述成像检测模块的方向，其中，所述第一阵列包括多个第一单元，所述第二阵列包括多个第二单元，多个所述第一单元和多个所述第二单元沿第二方向交替排布，所述第二方向垂直于所述第一方向，所述第一单元内和所述第二单元内分别有不同层数的所述第一结构层开设有开口，使得所述第一单元内未开口的所述第一结构层在所述第一方向上的总厚度为第一厚度，所述第二单元内未开口的所述第一结构层在所述第一方向上的总厚度为第二厚度，所述第一厚度和所述第二厚度不同。4.根据权利要求3所述的X射线成像装置，其中，多个所述第一结构层的所述开口内填充有低密度材料，所述低密度材料为印刷电路板树脂材料或陶瓷类材料。5.根据权利要求3所述的X射线成像装置，其中，所述第一结构层的材料为金属层，所述第二结构层为印刷电路板树脂材料层和/或陶瓷类材料层。6.根据权利要求3所述的X射线成像装置，其中，靠近所述被检目标的部分层数的所述第一结构层为完整的平面结构。7.根据权利要求3所述的X射线成像装置，其中，位于所述第一结构层中的各个所述开口的大小相同，且位于同一个所述第一单元中的各个所述开口的边缘对齐，位于同一个所述第二单元中的各个所述开口的边缘对齐，以在所述第一单元和所述第二单元中形成准直器结构。8.根据权利要求3所述的X射线成像装置，其中，所述成像检测模块包括：闪烁体层，利用所述待测X射线生成光信号；光电二极管层，将所述光信号转换为电信号；以及电路层，将所述电信号转换为所述被检目标的所述图像信号。9.根据权利要求8所述的X射线成像装置，其中，所述滤波结构、所述闪烁体层、所述光电二极管层、所述电路层沿所述第一方向依次堆叠，所述光电二极管层划分为均匀排布的多个像素点，所述第一单元和所述第二单元分别与其相应的所述像素点在第一方向上对齐。10.根据权利要求8所述的X射线成像装置，其中，所述电路层、所述光电二极管层、所述闪烁体层沿所述第一方向依次堆叠，所述滤波结构和所述电路层均设置在印刷电路板内，2CN115993373A权利要求书2/2页所述光电二极管层划分为均匀排布的多个像素点，所述第一单元和所述第二单元分别与其相应的所述像素点在所述第一方向上对齐，所述成像检测模块还包括设置在所述闪烁体层的远离所述光电二极管的表面上的反光层，用于将所述光信号反射至所述光电二极管层。11.根据权