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一种存储器件及其制造方法、电子设备.pdf
2023-05-31
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小凌****甜蜜
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一种存储器件及其制造方法、电子设备.pdf
本申请实施例公开了一种存储器件及其制造方法、电子设备，存储器件包括衬底、衬底上的存储层、贯穿存储层的隔离沟槽、隔离沟槽中填充的绝缘材料、纵向贯穿绝缘材料的导体塞，存储层可以包括交替层叠的多层铁电层和多层导体层，在隔离沟槽的侧壁上，铁电层具有凸出导体层的凸出部分，导体塞与铁电层的凸出部分接触，而与导体层通过绝缘材料隔离开，这样铁电层、与铁电层接触的导体层、与铁电层接触的导体塞可以构成一个存储单元，互不接触的导体层和导体塞可以作为两个电极，也就是说，本申请实施例中通过铁电层和导体层的堆叠实现铁电存储器的三维化
2023-05-31
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存储器器件及其制造方法.pdf
本申请的实施例提供了存储器器件及其制造方法。具有3D结构的存储器器件为MFMIS‑FET存储器单元提供了高芯片面积密度。该存储器器件包括与绝缘层交错的存储器单元层的堆叠件。沟道通孔穿透堆叠件。存储器单元的沟道设置在沟道通孔中。存储器单元的MFM部分夹在横向于沟道通孔的区域中的绝缘层之间。MFM部分可以从沟道通孔径向分布并且包括浮置栅极、铁电层和栅电极。与多个MFM结构相关联的栅电极可以结联合成字线栅极。铁电层可以环绕字线栅极，由此铁电层设置在字线栅极的上方和下方以及字线栅极和每个浮置栅极之间。
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非易失性存储器件及其制造方法.pdf
提供非易失性存储器件以及制造该非易失性存储器件的方法。非易失性存储器件可以包括：堆叠结构，包括以交替的顺序堆叠在衬底上的多个导电膜和多个层间绝缘膜；以及延伸穿过该堆叠结构的垂直沟道结构。所述多个导电膜可以包括所述多个导电膜当中的最靠近衬底的选择线。选择线可以包括顺序地堆叠在衬底上的下部和上部，并且选择线的上部的一侧和选择线的下部的一侧可以具有不同的轮廓。
2023-08-29
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一种三维存储器件的制造方法及其器件结构.pdf
本发明提供的一种三维存储器件的制造方法及其器件结构，通过在常规的化学机械抛光工艺对三维存储器件的平坦化工艺之后，进一步施加刻蚀工艺，将前述平坦化工艺之后未能有效去除的二氧化硅层残留在器件表面的尖角突出部移除，从而使三维存储器件的表面得到有效的平坦化处理，进而减小由于该尖角部的残留而引起后续薄膜工艺步骤中带来的各种缺陷产生，从而提高三维存储器件的工艺稳定性，提高器件的良率。
2023-11-19
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一种三维存储器件的制造方法及其器件结构.pdf
本发明提供一种三维存储器件的制造方法及其器件结构，在进行化学机械抛光操作以平坦化三维存储器件表面的步骤之前，无需沉积氮化硅阻挡层作为化学机械抛光终止信号的操作，可以通过将位于三维存储器件区和外围电路区上方的氧化物绝缘层的厚度设置为比所述三维存储器件的堆叠层的厚度更厚，并通过监测位于所述堆叠层的核心平台区上方的氧化物绝缘层的厚度来确定后续化学机械抛光的时间，从而省略了传统的通过沉积氮化硅阻挡层来作为化学机械抛光停止操作的步骤，并且减少了化学机械抛光工艺后残留的各种缺陷问题，降低了制造成本和时间，提高工艺的稳
2023-11-19
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