硅片清洗装置及降低硅片清洗装置中过滤器累积污染的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112517517A(43)申请公布日2021.03.19(21)申请号202011499013.X(22)申请日2020.12.17(71)申请人上海中欣晶圆半导体科技有限公司地址200444上海市宝山区山连路181号1幢(72)发明人赵剑锋贺贤汉杉原一男(74)专利代理机构上海申浩律师事务所31280代理人龚敏(51)Int.Cl.B08B3/08(2006.01)B08B3/14(2006.01)B08B13/00(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图1页(54)发明名称硅片清洗装置及降低硅片清洗装置中过滤器累积污染的方法(57)摘要本发明提供一种硅片清洗装置及降低硅片清洗装置中过滤器累积污染的方法，定期打开排液阀，排空过滤器中残留的积液，之后关闭排液阀；然后向药液清洗槽体内放入柠檬酸液体，通过循环泵流经硅片清洗装置各装置和管路，通过柠檬酸的螯合作用与Al(OH)4‑、Fe(OH)4‑、Zn(OH)3‑结合形成稳定络合物，然后打开排液阀，清洗冲走络合物；能够有效清除过滤器底座存在的死角，保证硅片清洗装置内部清洁度，提高硅片清洗质量；且能延长过滤器的过滤芯使用寿命，降低成本。CN112517517ACN112517517A权利要求书1/1页1.硅片清洗装置，其特征在于：包括药液槽(1)，循环泵(2)和过滤器(3)；所述药液清洗槽(1)的出口管路连接至循环泵(2)的进口管路，循环泵(2)的出口管路连接至过滤器(3)的进口管路(7)，所述过滤器(3)的出口管路(8)连接至药液清洗槽(1)的进口管路；所述过滤器(3)底部设置有辅助排液管路(5)，所述辅助排液管路上设置有排液阀(6)。2.根据权利要求1所述的一种降低过滤器累积污染的方法，其特征在于：所述底部设置有两条辅助排液管路(5)，所述两条辅助排液管路(5)上分别设置有一个排液阀(6)。3.降低硅片清洗装置中过滤器累积污染的方法，其特征在于：定期打开排液阀，排空过滤器中残留的积液，之后关闭排液阀；然后向药液清洗槽体内放入柠檬酸液体，通过循环泵流经硅片清洗装置各装置和管路，通过柠檬酸的螯合作用与Al(OH)4‑、Fe(OH)4‑、Zn(OH)3‑结合形成稳定络合物，然后打开排液阀，清洗冲走络合物。4.根据权利要求3所述的降低硅片清洗装置中过滤器累积污染的方法，其特征在于：所述定期为20‑40天一次。5.根据权利要求3所述的降低硅片清洗装置中过滤器累积污染的方法，其特征在于：具体步骤如下：步骤一、纯水循环冲洗药液清洗槽，然后通过药液清洗槽底部的主排液管路排空清洗槽，再打开过滤器底部的辅助排液管路上的排液阀，排空过滤器中残留的积液，然后关闭排液阀；步骤二、向药液清洗槽中放入柠檬酸液体，启动循环泵，使得柠檬酸液体在药液槽、循环泵、过滤器和各路循环管路中循环流动；步骤三、再次通过药液清洗槽底部的主排液管路排空清洗槽，然后打开过滤器底部的辅助排液管路上的排液阀，排空过滤器中残留的液体，然后关闭排液阀；步骤四、再次纯水冲洗药液清洗槽，然后通过主排液管路排空清洗槽中残留的积液。6.根据权利要求5所述的降低硅片清洗装置中过滤器累积污染的方法，其特征在于：步骤一中纯水循环冲洗药液清洗槽多次。7.根据权利要求5所述的降低硅片清洗装置中过滤器累积污染的方法，其特征在于：步骤四中再次纯水冲洗药液清洗槽多次。8.根据权利要求5所述的降低硅片清洗装置中过滤器累积污染的方法，其特征在于：步骤二中，向药液清洗槽中放入柠檬酸液体，启动循环泵，使得柠檬酸液体在药液槽、循环泵、过滤器和各路循环管路中循环流动10‑20分钟。2CN112517517A说明书1/3页硅片清洗装置及降低硅片清洗装置中过滤器累积污染的方法技术领域[0001]本发明涉及硅片清洗设备，具体涉及硅片清洗装置及降低硅片清洗装置中过滤器累积污染的方法。背景技术[0002]硅片洗净机药液清洗槽SC‑1槽(成分是H2O2、NH4OH和H2O)，硅片进入药液槽后，表面由于H2O2氧化作用生成氧化膜，该氧化膜又被NH4OH腐蚀，腐蚀后立即又发生氧化，氧化和腐蚀反复进行，因此附着在硅片表面的颗粒也随腐蚀层而落入清洗液内。清洗液随着循环泵进入过滤器，通过过滤器内的过滤膜，把清洗液中的颗粒等物质挡住，干净的清洗液再次进入药液槽使用，如此往复循环。[0003]但是药液槽SC‑1槽的反应产物部分金属氢氧化物，如Al(OH)4‑、Fe(OH)4‑、Zn(OH)3‑不能溶于清洗液，会残留吸附在SC‑1槽体内壁、过滤器管路内壁和过滤器底座。尤其过滤器底座部分长时间的液体集聚，金属氢氧化物越来越多，长此以往影响硅片的表面金属。[0004]过滤器底座部分有积液现象存在，随着过滤器使用时间的推移