预览加载中,请您耐心等待几秒...
1/8
2/8
3/8
4/8
5/8
6/8
7/8
8/8

在线预览结束,喜欢就下载吧,查找使用更方便

如果您无法下载资料,请参考说明:

1、部分资料下载需要金币,请确保您的账户上有足够的金币

2、已购买过的文档,再次下载不重复扣费

3、资料包下载后请先用软件解压,在使用对应软件打开

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111719185A(43)申请公布日2020.09.29(21)申请号201910219903.1(22)申请日2019.03.22(71)申请人江苏德润光电科技有限公司地址225600江苏省扬州市高邮经济开发区凌波路(72)发明人何其金张靖何飞(74)专利代理机构北京科家知识产权代理事务所(普通合伙)11427代理人艾秀丽(51)Int.Cl.C30B33/08(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称一种节能高效型黑硅生产装置(57)摘要本发明涉及半导体制造技术领域,且公开了一种节能高效型黑硅生产装置,包括箱体、喷雾发生装置、T形管、阀门、喷雾头、挡板、风机、通风管、收集箱、连接管、出料孔、出料滑板、上料滑板、进料孔、缓冲滑板、支撑架、电动伸缩杆、固定桶和黑硅晶片,所述箱体的顶部固定安装有数量为两个且呈对称分布的喷雾发生装置,所述喷雾发生装置的输出端连通有一端贯穿并延伸至箱体内部的T形管。该节能高效型黑硅生产装置,且通过风机对多余的喷雾进行收集,通过通风管和连接管进入到收集箱的内部,在使用喷雾代替全液相的基础上,进一步节约资源,且操作简单,可以实现半自动化生产,增加了生产效率。CN111719185ACN111719185A权利要求书1/1页1.一种节能高效型黑硅生产装置,包括箱体(1)、喷雾发生装置(2)、T形管(3)、阀门(4)、喷雾头(5)、挡板(6)、风机(7)、通风管(8)、收集箱(9)、连接管(10)、出料孔(11)、出料滑板(12)、上料滑板(13)、进料孔(14)、缓冲滑板(15)、支撑架(16)、电动伸缩杆(17)、固定桶(18)和黑硅晶片(19),其特征在于:所述箱体(1)的顶部固定安装有数量为两个且呈对称分布的喷雾发生装置(2),所述喷雾发生装置(2)的输出端连通有一端贯穿并延伸至箱体(1)内部的T形管(3),所述T形管(3)的内部活动安装有阀门(4),所述T形管(3)的底部固定安装有呈等距离分布的喷雾头(5),所述箱体(1)的内部固定安装有数量为两个的挡板(6),所述挡板(6)相对的一侧均固定安装有风机(7),所述风机(7)的顶部固定安装有一端贯穿并延伸至箱体(1)顶部的通风管(8),所述箱体(1)的顶部固定安装有数量为两个的收集箱(9),两个所述通风管(8)分别与两个所述收集箱(9)通过两个所述连接管(10)连通,所述箱体(1)的右侧壁开设有出料孔(11),所述出料孔(11)的孔内底壁固定安装有出料滑板(12),所述箱体(1)的左侧壁开设有进料孔(14),所述进料孔(14)的内底壁固定安装有上料滑板(13),所述上料滑板(13)和出料滑板(12)相对的一侧固定安装有缓冲滑板(15),所述支撑架(16)位于箱体(1)的左侧,所述支撑架(16)的顶部固定安装有电动伸缩杆(17),所述箱体(1)的左侧固定安装有固定桶(18),所述固定桶(18)的内部重叠放置有黑硅晶片(19)。2.根据权利要求1所述的一种节能高效型黑硅生产装置,其特征在于:所述上料滑板(13)和出料滑板(12)均为倾斜设置,且上料滑板(13)和出料滑板(12)的倾斜角度相等。3.根据权利要求1所述的一种节能高效型黑硅生产装置,其特征在于:所述出料滑板(12)、缓冲滑板(15)和上料滑板(13)的底部均固定安装有支撑杆,所述缓冲滑板(15)呈水平设置。4.根据权利要求1所述的一种节能高效型黑硅生产装置,其特征在于:所述进料孔(14)的高度大于上料滑板(13)的厚度与黑硅晶片(19)的厚度之和,所述固定桶(18)的底部与进料孔(14)的孔内顶壁平齐。5.根据权利要求1所述的一种节能高效型黑硅生产装置,其特征在于:所述固定桶(18)的顶部和底部均为开口状,所述固定桶(18)的内腔形状与黑硅晶片(19)相适配。6.根据权利要求1所述的一种节能高效型黑硅生产装置,其特征在于:所述电动伸缩杆(17)可伸缩的距离大于黑硅晶片(19)的长度,所述电动伸缩杆(17)的输出端高度小于黑硅晶片(19)的高度。2CN111719185A说明书1/4页一种节能高效型黑硅生产装置技术领域[0001]本发明涉及半导体制造技术领域,具体为一种节能高效型黑硅生产装置。背景技术[0002]黑硅是一种具备纳米陷光结构的新型半导体光电材料,制备黑硅太阳能电池的技术很多,黑硅制备工艺主要包括光刻胶微掩膜法、纳米球光刻法、电子束光刻法、聚焦离子束法和激光刻蚀法等,前两种工艺需要刻蚀掩膜,增加了工艺成本和复杂性,且在微米尺度结构表面制作掩膜依然是一大技术难题,更为重要的是利用它们在微米尺度结构上制作纳米尺度黑硅结构时,会刻蚀去除大量微米尺度结构