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铟镓砷盖革雪崩二极管自淬灭环结构制备方法.pdf
2023-05-31
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铟镓砷盖革雪崩二极管自淬灭环结构制备方法.pdf
本发明属于半导体光电器件技术领域，公开了一种铟镓砷盖革雪崩二极管自淬灭环结构制备方法，采用表面浅层Zn扩散工艺，在铟镓砷盖革雪崩二极管表面的iInP顶层上直接进行浅层Zn扩散，制备Zn掺杂自淬灭环结构，作为铟镓砷盖革雪崩二极管自身的被动淬灭电阻。本发明解决自由模式光子计数用铟镓砷盖革雪崩二极管存在的后脉冲高、死时间长的问题，通过实现低寄生效应的原位被动淬灭，有效提升铟镓砷盖革雪崩二极管的最大计数率，满足单光子计数探测需求。
2023-05-31
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本发明公开了平面型侧向收集结构铟镓砷红外探测器芯片的制备方法，步骤包括：1)外延材料清洗，2)淀积氮化硅扩散掩膜，3)第一次光刻，4)开扩散窗口，5)光刻胶剥离，6)闭管扩散，7)开管取片，8)第二次光刻，9)生长P电极，10)光刻胶剥离，11)淀积二氧化硅增透膜，12)P电极退火，13)第三次光刻，14)开P电极孔，15)光刻胶剥离，16)第四次光刻，17)加厚P电极，18)光刻胶剥离，19)背面抛光，20)生长N电极，21)划片。本发明制备方法制得的芯片减小了光敏元的扩散区域，可有效地减少扩散带来的热
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砷化镓电池外延结构及其制备方法.pdf
本发明提供一种砷化镓电池外延结构及其制备方法。该砷化镓电池外延结构包括衬底和设置在衬底上的牺牲层和电池层，牺牲层和电池层沿远离衬底的方向依次叠置，牺牲层包括叠层单元，叠层单元包括能被湿法腐蚀液腐蚀的膜层和夹设在膜层中的不能被湿法腐蚀液腐蚀的量子点层。该砷化镓电池外延结构，通过设置中间夹层为不能被湿法腐蚀液腐蚀的砷化物量子点层的三明治结构的牺牲层，在湿法腐蚀剥离衬底时，砷化物量子点能通过搅拌腐蚀液整体剥离，以在原来量子点所在位置留下孔洞，孔洞能使腐蚀液与附近未腐蚀的砷化铝层接触面积增大，提高牺牲层在湿法腐蚀
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