像元偏压可控的铟镓砷阵列光敏芯片及其制备方法.pdf
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像元偏压可控的铟镓砷阵列光敏芯片及其制备方法.pdf
本发明公开了一种像元偏压可控的铟镓砷光敏芯片及其制备方法,所述铟镓砷光敏芯片包括依次设置于衬底的缓冲层、吸收层、帽层、钝化层、电极层以及像元阵列,所述像元阵列包含多个像元,每个像元之间电极独立;所述每个像元内的电极独立。本发明的像元偏压可控的铟镓砷阵列光敏芯片及其制备方法通过合理地设置阵列中各像元间的隔离结构,可对像元形成独立可控的偏压用于读取相应的电信号,从而获取感光探测数据。同时,外接电路也可根据实际应用场景自定义对接电极层中的若干电极,以获取需要的像元参数。本实施例通过像元的偏压独立控制以及像元信号
一种平面型子像元结构铟镓砷红外探测器芯片制备方法.pdf
本发明公开了一种平面型子像元结构铟镓砷红外探测器芯片制备方法,其步骤包括:1)外延材料清洗,2)淀积氮化硅扩散掩膜,3)第一次光刻,4)开子像元扩散窗口,5)光刻胶剥离,6)闭管扩散,7)开管取片,8)第二次光刻,9)生长P电极,10)光刻胶剥离,11)淀积二氧化硅增透膜,12)P电极退火,13)第三次光刻,14)开P电极孔,15)光刻胶剥离,16)第四次光刻,17)加厚P电极,18)光刻胶剥离,19)背面抛光,20)生长N电极,21)划片。所制备的探测器在量子效率不降低的前提下,光敏元响应均匀,增加少数
一种平面型子像元结构铟镓砷红外探测器芯片.pdf
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多像元集成铟镓砷雪崩二极管四象限光电探测芯片.pdf
本发明公开了一种多像元集成铟镓砷雪崩二极管四象限光电探测芯片及制作方法,其包括,在同一铟镓砷外延晶片上,分布有四个光敏探测区,每个光敏探测区内由多个小单元雪崩二极管并联而成的芯片。所述芯片整体光敏面由四个方形雪崩二极管中心对称均布组成,方形APD由尺寸更小的圆形且具有相等光电特性小单元APD并联而成。四个方形光敏探测区,能对连续或低频脉冲激光信号进行坐标定位探测,方形APD光敏探测之间通过刻蚀槽和背面进光面金属膜层遮挡方式隔离四个光敏探测区,其能有效消除光敏探测区之间产生的电学、光学串扰,同时保证不会产生
平面型侧向收集结构铟镓砷红外探测器芯片的制备方法.pdf
本发明公开了平面型侧向收集结构铟镓砷红外探测器芯片的制备方法,步骤包括:1)外延材料清洗,2)淀积氮化硅扩散掩膜,3)第一次光刻,4)开扩散窗口,5)光刻胶剥离,6)闭管扩散,7)开管取片,8)第二次光刻,9)生长P电极,10)光刻胶剥离,11)淀积二氧化硅增透膜,12)P电极退火,13)第三次光刻,14)开P电极孔,15)光刻胶剥离,16)第四次光刻,17)加厚P电极,18)光刻胶剥离,19)背面抛光,20)生长N电极,21)划片。本发明制备方法制得的芯片减小了光敏元的扩散区域,可有效地减少扩散带来的热