断线修复装置及断线修复装置调试方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112795907A(43)申请公布日2021.05.14(21)申请号202011547873.6(22)申请日2020.12.24(71)申请人深圳市华星光电半导体显示技术有限公司地址518132广东省深圳市光明新区公明街道塘明大道9-2号(72)发明人陈少甫(74)专利代理机构深圳紫藤知识产权代理有限公司44570代理人刘泳麟(51)Int.Cl.C23C16/48(2006.01)G01R27/02(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图4页(54)发明名称断线修复装置及断线修复装置调试方法(57)摘要本申请提供一种断线修复装置及断线修复装置调试方法，所述断线修复装置包括基座、安装于所述基座上的支撑架、以及设置于所述支撑架上的可移动的镀膜单元和阻值测试单元，使用所述断线修复装置对基板进行镀膜操作时，所述阻值测试单元可随时对所述镀膜单元形成的膜层阻值进行测试，而无需移动基板，相较于现有技术，减小了基板转运的时间，提高了断线修复装置的调试效率和断线修复效率。CN112795907ACN112795907A权利要求书1/1页1.一种断线修复装置，其特征在于，包括：基座；支撑架，安装于所述基座上，所述支撑架包括上端面，所述上端面与所述基座之间存在间隙；镀膜单元，设置于所述上端面上，与所述上端面可移动连接；阻值测试单元，设置于所述上端面上，与所述上端面可移动连接。2.根据权利要求1所述的断线修复装置，其特征在于，还包括壳体，所述壳体与所述基座之间形成可密封的腔体，所述支撑架、所述镀膜单元和所述阻值测试单元位于所述腔体中。3.根据权利要求2所述的断线修复装置，其特征在于，所述壳体上设置有密封门，所述密封门用于打开或密封所述腔体。4.根据权利要求3所述的断线修复装置，其特征在于，所述腔体内还设置有抽真空端口，所述抽真空端口用于将密封状态下的所述腔体内的气体抽出。5.根据权利要求1所述的断线修复装置，其特征在于，所述镀膜单元包括激光发射单元和反应气体放射单元，所述反应气体放射单元用于放射反应气体，所述激光发射单元用于发射激光并诱导所述反应气体发生化学反应。6.根据权利要求1所述的断线修复装置，其特征在于，所述阻值测试单元包括探针、阻值计算单元和阻值显示单元，所述阻值计算单元用于计算所述探针接触的待测物体的阻值，所述阻值显示单元用于显示所述阻值计算单元计算的阻值。7.一种断线修复装置调试方法，其特征在于，所述断线修复装置包括基座、安装于所述基座上的支撑架、以及设置于所述支撑架上端面上的可移动的镀膜单元和阻值测试单元，所述支撑架的上端面与所述基座之间存在间隙；所述调试方法包括以下步骤：提供一测试基板，所述测试基板包括测试端，将所述测试基板置于所述基座上；移动所述镀膜单元至所述测试端，并在所述测试端镀膜以形成膜层；移动所述阻值测试单元至所述测试端，并测试所述膜层的阻值；判断所述膜层的阻值是否满足预设值，若满足，则结束调试；若不满足，则调整所述镀膜单元的镀膜参数，并重复进行所述镀膜单元的镀膜步骤和所述阻值测试单元的阻值测试步骤。8.根据权利要求7所述的断线修复装置调试方法，其特征在于，调整所述镀膜单元的镀膜参数，以调整形成的所述膜层的厚度。9.根据权利要求7所述的断线修复装置调试方法，其特征在于，所述镀膜单元包括激光发射单元和反应气体放射单元；进行镀膜步骤时，所述反应气体放射单元放射反应气体，所述激光发射单元发射激光并诱导所述反应气体发生化学反应，反应产物沉积于所述测试端形成所述膜层。10.根据权利要求7所述的断线修复装置调试方法，其特征在于，判断所述膜层的阻值是否满足预设值的方法是：人工判断；或将所述阻值测试单元连接一阻值判断单元进行自动判断。2CN112795907A说明书1/5页断线修复装置及断线修复装置调试方法技术领域[0001]本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种断线修复装置及断线修复装置调试方法。背景技术[0002]在电子器件领域，尤其是半导体显示行业中，经常会遇到电子器件内部的金属走线出现断线的问题，这一问题可以发生在整个制程中，也可以发生在电子器件制作完成后的检测过程中。显示面板中的金属断线会极大影响显示面板的性能，严重的甚至导致显示面板的报废，造成良率损失和资源浪费。[0003]目前解决金属断线问题的方法是采用激光诱导化学气相沉积设备(LaserChemicalVaporDeposition,LCVD)在断线处沉积导电膜层，从而修复断线处的导电通路。为了保证在断线修复过程中形成的导电膜层的电阻一次性满足断线修复要求，在进行断线修复操作之前需要对化学气相沉积设备进行多次调试，使其能够产生稳定且符合要求的导电膜层。现有技术对化学气相沉积设备进行调