一种PECVD设备加热装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113122826A(43)申请公布日2021.07.16(21)申请号202010047226.2(22)申请日2020.01.16(71)申请人中国电子科技集团公司第四十八研究所地址410111湖南省长沙市天心区新开铺路1025号(72)发明人罗才旺龚俊(74)专利代理机构湖南兆弘专利事务所(普通合伙)43008代理人徐好(51)Int.Cl.C23C16/50(2006.01)C23C16/52(2006.01)权利要求书1页说明书2页附图1页(54)发明名称一种PECVD设备加热装置(57)摘要本发明公开了一种PECVD设备加热装置，包括加热盘以及多根设于加热盘中间区域的支撑杆，所述加热盘内设有多圈加热电阻丝，所述支撑杆位于所述加热电阻丝的内侧，PECVD设备加热装置还包括辐射加热部件，所述辐射加热部件设于所述加热盘的下方。本发明具有种结构简单、成本低、加热均匀性好、有利于保证工艺效果等优点。CN113122826ACN113122826A权利要求书1/1页1.一种PECVD设备加热装置，包括加热盘(1)以及多根设于加热盘(1)中间区域的支撑杆(2)，所述加热盘(1)内设有多圈加热电阻丝(4)，所述支撑杆(2)位于所述加热电阻丝(4)的内侧，其特征在于：PECVD设备加热装置还包括辐射加热部件(3)，所述辐射加热部件(3)设于所述加热盘(1)的下方。2.根据权利要求1所述的PECVD设备加热装置，其特征在于：所述辐射加热部件(3)为面加热部件。3.根据权利要求1或2所述的PECVD设备加热装置，其特征在于：所述辐射加热部件(3)与所述加热盘(1)之间的间距可调。2CN113122826A说明书1/2页一种PECVD设备加热装置技术领域[0001]本发明涉及PECVD设备，尤其涉及一种PECVD设备加热装置。背景技术[0002]PECVD(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition)设备是指等离子体增强化学的气相沉积设备。目前PECVD反应腔室一般都是自动装卸片，在装卸片过程中，需要加热盘中间区域的三根支撑杆将基片向上顶升，以让出空间，使机械手能够伸到基片下方进行传送片。[0003]由于加热盘要为支撑杆让出空间，因此中间区域布置加热电阻丝不方便，并且电阻丝要从此处引出，导致中间区域有一部分无法布置加热电阻丝。在工艺过程中，中间区域会因为没有布置加热电阻丝，其温度会偏低，进而会影响工艺效果。发明内容[0004]本发明要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种结构简单、成本低、有利于保证工艺效果的PECVD设备即热装置。[0005]为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：[0006]一种PECVD设备加热装置，包括加热盘以及多根设于加热盘中间区域的支撑杆，所述加热盘内设有多圈加热电阻丝，所述支撑杆位于所述加热电阻丝的内侧，PECVD设备加热装置还包括辐射加热部件，所述辐射加热部件设于所述加热盘的下方。[0007]作为上述技术方案的进一步改进：[0008]所述辐射加热部件为面加热部件。[0009]作为上述技术方案的进一步改进：[0010]所述辐射加热部件与所述加热盘之间的间距可调。[0011]与现有技术相比，本发明的优点在于：本发明公开的PECVD设备加热装置，加热部分包括加热电阻丝和辐射加热部件，加热电阻丝主要依靠热传导将热量传递到加热盘上表面的基片，辐射加热部件主要通过热辐射的方式将热量传递给加热盘中间区域，再由加热盘中间区域的材料通过热传导将热量传递到加热盘上方的基片，辐射加热器对加热盘无法布置加热电阻丝的中间区域进行温度补偿，或者说提供补充热源，确保整个加热盘上表面的温度更加均匀，从而保证工艺效果。附图说明[0012]图1是本发明PECVD设备加热装置的立体结构示意图。[0013]图2是本发明PECVD设备加热装置的剖视结构示意图。[0014]图中各标号表示：1、加热盘；2、支撑杆；3、辐射加热部件；4、加热电阻丝；5、基片。3CN113122826A说明书2/2页具体实施方式[0015]以下结合说明书附图和具体实施例对本发明作进一步详细说明。[0016]图1至图2示出了本发明PECVD设备加热装置的一种实施例，本实施例的PECVD设备加热装置，包括加热盘1以及多根设于加热盘1中间区域的支撑杆2，加热盘1内设有多圈加热电阻丝4，支撑杆2位于加热电阻丝4的内侧，PECVD设备加热装置还包括辐射加热部件3，辐射加热部件3设于加热盘1的下方。其中，辐射加热部件3的形状例如可以是圆形、环形或其他异性结构，能够提供补充热源，保证加热盘1表面温区更加均匀即可。[0017]PECVD设备加热装置，加热部分包括加热电阻