一种陶瓷基板的高温烧结设备及其烧结方法.pdf
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一种陶瓷基板的高温烧结设备及其烧结方法.pdf
本发明公开了一种陶瓷基板的高温烧结设备,包括箱体装置,加热装置设置在箱体装置上,温度检测装置用于监测箱体装置内部的温度,温度检测装置与加热装置电连接,基板承载装置设置在箱体装置的底部上;基板承载装置包括基板承载部件,基板承载部件包括边框,边框内部被若干互相垂直的分割板分割成独立的限位框,限位框中设置有多个用于承载陶瓷基板的支撑杆,所有的支撑杆互相平行且等间距设置,支撑杆的一端设置在边框的一边上,支撑杆的另一端延伸至边框另一边的外侧且与传动组件相连,分割板上设置有与支撑杆配合的旋转孔,传动组件与动力组件相连
一种陶瓷基板的烧结方法.pdf
本发明公开了一种陶瓷基板的烧结方法,其特征在于,包括(1)混料:按重量份数计,取陶瓷粉末放入磨筒中研磨成浆料,然后加入1份分散剂,15~20份烧结助剂,得到混合料、(2)制作陶瓷坯片:通过流延的方法制得陶瓷坯片、(3)制作生坯组、(4)排胶去粘、(5)二次烧结成型、(6)降温取物,通过在将陶瓷基板进行在烧结炉中经过一次低温烧结后,然后将炉内温度上升到指定温度后进行二次烧结,两次烧结材料生长完全、结晶性好,再次高温烧结粒度增大,同时也可修饰表面形貌、降低比表面积、降低金属单质含量,同时也可以略微增大粒子粒度
氮化铝陶瓷基板的烧结方法.pdf
一种氮化铝陶瓷基板的烧结方法,在基板烧结过程中,使用惰性气体对石墨烧结炉炉膛内的气氛进行置换,本发明的烧结方法采用可控的氮气保护气氛,并定期置换炉内气氛,调整石墨烧结炉的炉膛压力和炉内化学物质气氛,排出杂质气氛,控制氮化铝陶瓷基板的热导率和提升基板的平整度。采用本发明方法生产的基板的热导率可以稳定控制在170W/m·K以上,基板平整度合格率为95%以上。
一种特大型陶瓷部件高温气氛烧结炉及其烧结方法.pdf
本发明涉及烧结炉技术领域,公开了一种特大型陶瓷部件高温气氛烧结炉及其烧结方法,包括窑炉、保温罩和升降机构,所述窑炉底部设有进料口,所述进料口处可拆卸连接有炉门,所述保温罩顶部设有出料口,所述保温罩的出料口可与窑炉进料口相接,所述升降机构驱动炉门在窑炉和保温罩内上下移动。本发明具有以下优点和效果:特大型陶瓷部件的直径可在1.5米以上,特大型陶瓷部件烧结完成后,升降机构可从窑炉底部的进料口进入窑炉内,将炉门和炉门上的陶瓷部件一起转运至保温罩内,保温罩具有加热功能,保温罩内温度为300~600℃,从而使烧结炉内
一种覆铜陶瓷基板双层同时烧结的方法.pdf
本发明公开了一种覆铜陶瓷基板双层同时烧结的方法,涉及覆铜陶瓷基板加工领域,旨在解决目前只能单层烧结效率低的问题,其技术方案要点是:在烧结炉备料台上先摆放下层碳化硅烧结治具,内部放置瓷片、铜片;然后在治具上再放置上层的碳化硅治具,碳化硅治具在其边缘上表面至少具有两个凸起,其边缘下表面对应凸起的地方具有凹槽;当两层碳化硅治具叠放时,下层的碳化硅治具的凸起卡在上层碳化硅治具的凹槽内;然后在顶部再盖上陶瓷盖板;每相邻的治具紧密贴合,使用特定的烧结曲线,产品、治具在炉膛中经历升温,保温,降温阶段;收料。本发明的一种