一种改善薄膜沉积均匀度的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107881486A(43)申请公布日2018.04.06(21)申请号201711086329.4(22)申请日2017.11.07(71)申请人睿力集成电路有限公司地址230000安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦526室(72)发明人不公告发明人(74)专利代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)31219代理人余明伟(51)Int.Cl.C23C16/455(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图4页(54)发明名称一种改善薄膜沉积均匀度的方法(57)摘要本发明提供一种改善薄膜沉积均匀度的方法，该方法包括如下步骤：采用晶舟承载多片晶圆；所述晶舟具有头部和尾部，多片晶圆排列放置于晶舟的头部和尾部之间；在多片晶圆与晶舟头部，和/或在多片晶圆与晶舟尾部之间放置档控片；将承载有晶圆和档控片的晶舟置于反应炉管中并进行薄膜沉积；其中，所述档控片具有非平坦的表面结构。本发明导入具有非平坦表面结构的挡控片取代现有技术中的平坦的挡控片，藉由增加挡控片吸附面积增加吸附气体能力，可有效地降低临近挡控片产品边缘厚度，从而可有效改善芯片膜厚均匀度，平滑晶舟位置边缘良率损失的曲线以提升产品良率。CN107881486ACN107881486A权利要求书1/1页1.一种改善薄膜沉积均匀度的方法，其特征在于，包括如下步骤：采用晶舟承载多片晶圆，所述晶舟具有头部和尾部，所述多片晶圆排列放置于所述头部和所述尾部之间，在所述多片晶圆与所述头部，和/或在所述多片晶圆与所述尾部之间放置档控片；及，将承载有所述晶圆和所述档控片的晶舟置于反应炉管中并进行薄膜沉积；其中，所述档控片具有非平坦表面结构。2.根据权利要求1所述的改善薄膜沉积均匀度的方法，其特征在于：所述档控片的非平坦表面结构包括凹槽、凸脊、凹坑、凸起中的一种或多种。3.根据权利要求1所述的改善薄膜沉积均匀度的方法，其特征在于：所述档控片与所述晶圆一同卡持于所述晶舟中，所述档控片具有与所述晶圆相同的边缘轮廓。4.根据权利要求1所述的改善薄膜沉积均匀度的方法，其特征在于：所述档控片采用与所述晶圆相同的半导体衬底材料。5.根据权利要求1至4任一项所述的改善薄膜沉积均匀度的方法，其特征在于：所述反应炉管为低压炉管。6.一种薄膜沉积用档控片，其特征在于：所述档控片具有非平坦表面结构，所述档控片具有与待沉积晶圆相同的边缘轮廓；所述档控片与所述晶圆采用相同的半导体衬底材料。7.根据权利要求6所述的薄膜沉积用档控片，其特征在于：所述非平坦表面结构包括凹槽、凸脊、凹坑、凸起中的一种或多种。8.根据权利要求6或7所述的薄膜沉积用档控片，其特征在于：所述非平坦表面结构包含刻蚀图案。9.一种薄膜沉积用档控片的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一基片；在所述基片的表面形成光阻层并光刻图形化；以图形化的所述光阻层为掩模，刻蚀入所述基片，使所述基片具有非平坦表面结构；及，去除图形化的所述光阻层，以制成档控片，所述档控片具有与待沉积晶圆相同的边缘轮廓，所述档控片与所述晶圆采用相同的半导体衬底材料。10.根据权利要求9所述的薄膜沉积用档控片的制作方法，其特征在于：所述非平坦表面结构包括凹槽、凸脊、凹坑、凸起中的一种或多种。2CN107881486A说明书1/5页一种改善薄膜沉积均匀度的方法技术领域[0001]本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种改善薄膜沉积均匀度的方法。背景技术[0002]原子层沉积法(ALD，atomiclayerdeposition)相较于一般的低压化学气相沉积法(LPCVD，lowpressurechemicalvapordeposition)是将物质以单一原子膜形式一层一层的沉积在基底表面，具自我限制性化学吸附反应(self-limitingchemisorption)，即沉积饱和后不会再沉积反应，不会因为过多特气而过度饱和吸附，故具有很好的台阶覆盖率及均匀度，并可精准控制所需的薄膜厚度。[0003]然而随着制程线宽不断的微缩，反映在产品厚度上的负载效应更加明显，也加深了控制产品上薄膜厚度与均匀度的困难度。原子层沉积法和低压化学气相沉积法一般需要采用低压炉管进行薄膜沉积。将装载了芯片的晶舟送入低压炉管中，通过旋转晶舟可使薄膜均匀的沉积在芯片上。通常晶舟可装载多片芯片用于进行批量生产。在低压炉管薄膜沉积生长过程中，由于晶舟转动时，制程气体是藉由注射器喷出，从芯片边缘向中心扩散沉积，形成的薄膜，如氧化锆等，在芯片边缘的厚度会比芯片中心还要厚。此外，现有晶舟在头尾位置部分通常放置有挡控片，临近挡控片的产品边缘厚度会比远离挡控片的产品边缘厚度更厚，导致批量生产的产品良率偏低。[0004]因此，实有必要改良现有技术以提高