半导体器件及其制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114628392A(43)申请公布日2022.06.14(21)申请号202210349195.5(22)申请日2022.04.01(71)申请人福建省晋华集成电路有限公司地址362200福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号(72)发明人张钦福程恩萍(74)专利代理机构北京聿宏知识产权代理有限公司11372专利代理师陈超德吴昊(51)Int.Cl.H01L27/108(2006.01)H01L21/8242(2006.01)H01L21/762(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图7页(54)发明名称半导体器件及其制备方法(57)摘要本申请提供一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括设置于所述衬底上表面内的多行有源图案；第一隔离结构，设置于所述衬底上表面内且位于同一行的任意相邻两个所述有源图案之间；第二隔离结构，设置于所述衬底上表面内且位于任意相邻两行所述有源图案之间；所述第一隔离结构的深度大于所述第二隔离结构的深度，从而使得所述第一隔离结构位置处的字线等部件可以有更大的伸展空间，加强了接触效果，提升了器件的电学性能。另外，所述第一隔离结构的深度大于所述第二隔离结构的深度，使得深度较深的所述第一隔离结构对其四周的有源图案的下部的支撑力增加，大大降低了有源图案倒塌的风险。CN114628392ACN114628392A权利要求书1/2页1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底；设置于所述衬底上表面内的多行有源图案；其中，所述多行有源图案沿第一方向延伸并且沿第二方向依次排列，所述第二方向不同于所述第一方向；任意相邻两行所述有源图案交错设置；第一隔离结构，设置于所述衬底上表面内且位于同一行的任意相邻两个所述有源图案之间；第二隔离结构，设置于所述衬底上表面内且位于任意相邻两行所述有源图案之间；其中，所述第一隔离结构的底部到所述衬底上表面的垂直距离，大于所述第二隔离结构的底部到所述衬底上表面的垂直距离。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一隔离结构的底部呈沿远离所述衬底上表面的方向延伸的凹陷状。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一隔离结构的底部呈平行于所述衬底上表面的平台状。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二隔离结构的底部呈沿靠近所述衬底上表面的方向延伸的凸起状。5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，任意相邻两个所述第一隔离结构之间的所述第二隔离结构的底部到所述衬底上表面的最小垂直距离，随该任意相邻两个所述第一隔离结构在所述第一方向上的距离的增大而减小。6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，当相邻两个所述第一隔离结构在所述第一方向上的距离大于预设阈值时，该相邻两个所述第一隔离结构之间的所述第二隔离结构的底部的顶端呈一平台。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二隔离结构的底部呈平行于所述衬底上表面的平台状。8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一隔离结构和所述第二隔离结构的材料分别包括不同的绝缘材料。9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在平行于所述衬底的上表面的平面内，所述第一隔离结构在所述第二方向上的宽度大于所述第二隔离结构在所述第二方向上的宽度。10.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述衬底上表面内形成有源区；在所述衬底上表面内形成贯穿所述有源区的第一浅隔离沟槽和第二浅隔离沟槽，以将所述有源区截断为沿第一方向延伸并且沿第二方向依次排列的多行有源图案；其中，所述第二方向不同于所述第一方向，任意相邻两行所述有源图案交错设置；所述第一浅隔离沟槽位于同一行的任意相邻两个所述有源图案之间，所述第二浅隔离沟槽位于任意相邻两行所述有源图案之间；所述第一浅隔离沟槽的底部到所述衬底上表面的垂直距离，大于所述第二浅隔离沟槽的底部到所述衬底上表面的垂直距离；分别在所述第一浅隔离沟槽内和所述第二浅隔离沟槽内形成第一隔离结构和第二隔2CN114628392A权利要求书2/2页离结构。11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，任一行所述有源图案位置处的所述第一浅隔离沟槽与相邻的另一行所述有源图案接触。12.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述第一浅隔离沟槽的底部呈沿远离所述衬底上表面的方向延伸的凹陷状。13.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述第一浅隔离沟槽的底部呈平行于与所述衬底上表面的平台状。14.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述第二浅隔离沟槽的底部呈沿靠近所述衬底上表面的方向延伸的凸起状。15.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述第二浅隔离沟槽的底部