单晶硅生长炉真空支持系统.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105442036A(43)申请公布日2016.03.30(21)申请号201510875224.1(22)申请日2015.12.02(71)申请人上海汉虹精密机械有限公司地址200444上海市宝山区宝山城市工业园区山连路188号(72)发明人刘海贺贤汉郡司拓黄保强(74)专利代理机构上海顺华专利代理有限责任公司31203代理人陈淑章(51)Int.Cl.C30B15/00(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书1页说明书2页附图1页(54)发明名称单晶硅生长炉真空支持系统(57)摘要一种单晶硅生长炉真空支持系统，包括：主炉腔、主真空泵、辅真空泵、主阀、辅阀、隔离阀和上炉腔，其中：主炉腔由主阀与主真空泵相连，由隔离阀与上炉腔相连，上炉腔由辅阀与辅真空泵相连。本发明在主真空支持存在故障时，可使用辅真空支持，安全性更高。CN105442036ACN105442036A权利要求书1/1页1.一种单晶硅生长炉真空支持系统，其特征在于，包括：主炉腔、主真空泵、辅真空泵、主阀、辅阀、隔离阀和上炉腔，其中：主炉腔由主阀与主真空泵相连，由隔离阀与上炉腔相连，上炉腔由辅阀与辅真空泵相连。2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述的主炉腔与主真空泵之间设有过滤罐，该过滤罐包括：罐体、与主炉腔的主阀相连的氧化阀、与主真空泵相连的反吹口以及排污口。3.根据权利要求1或2所述的系统，其特征在于，所述的主炉腔的主阀处设有蝶阀。4.根据权利要求3所述的系统，其特征在于，所述的主真空泵处设有压差阀。2CN105442036A说明书1/2页单晶硅生长炉真空支持系统技术领域[0001]本发明涉及单晶炉设备，特别是一种单晶硅生长炉真空支持系统。背景技术[0002]现有技术中，单晶硅生长炉真空支持系统通常没有辅真空支持，一旦真空支持系统出现故障，容易使长晶失败，造成较大损失；另外，在引晶失败后也无法更换籽晶，只能结束本次拉晶，造成较大损失；真空支持系统不配有过滤罐，氧化物直接进入真空泵，对真空泵造成不良影响；主真空泵意外停止时，氧化物回流进炉腔，污染正在生长的单晶硅锭。发明内容[0003]本发明的目的在于提供一种单晶硅生长炉真空支持系统,在主真空支持存在故障时，可使用辅真空支持，安全性更高。[0004]为解决上述技术问题，本发明包括：主炉腔、主真空泵、辅真空泵、主阀、辅阀、隔离阀和上炉腔，其中：主炉腔由主阀与主真空泵相连，由隔离阀与上炉腔相连，上炉腔由辅阀与辅真空泵相连。[0005]所述的主炉腔与主真空泵之间设有过滤罐，该过滤罐包括：罐体、与主炉腔的主阀相连的氧化阀、与主真空泵相连的反吹口以及排污口。[0006]所述的主炉腔的主阀处设有蝶阀。[0007]所述的主真空泵处设有压差阀。[0008]本发明主、辅两路真空支持，主真空支持存在故障时，可使用辅真空支持，安全性更高；其次，隔离阀关闭后，主炉腔保持真空状态，上炉腔需要单独抽真空时，可使用辅真空支持；另外，主真空支持配有过滤罐，能够过滤主真空管路中的氧化物，防止氧化物直接进入主真空泵，对主真空泵造成不良影响；同时，过滤罐内氧化物可实现自动清洗；还有主真空泵前端配有压差阀，主真空泵意外停止时，能防止氧化物回流进炉腔污染正在生长的单晶硅锭。附图说明[0009]图1为本发明的结构示意图。具体实施方式[0010]下面结合附图对本发明作进一步详细说明。[0011]如图1所示，本实施例包括：主炉腔8、主真空泵9、辅真空泵10、主阀V1、辅阀V7、隔离阀11和上炉腔12，其中：主炉腔8由主阀V1与主真空泵9相连，由隔离阀11与上炉腔12相连，上炉腔12由辅阀V7与辅真空泵10相连。[0012]所述的主炉腔8与主真空泵9之间设有过滤罐，该过滤罐包括：罐体13、与主炉腔8的主阀V1相连的氧化阀V3、与主真空泵9相连的反吹口V5以及排污口V4。3CN105442036A说明书2/2页[0013]所述的主炉腔8的主阀V1处设有蝶阀V2。[0014]所述的主真空泵9处设有压差阀V6。[0015]主炉腔8工作时，运行主真空支持，主炉腔8的主阀V1和蝶阀V2打开，辅阀V7闭合，氧化阀V3、排污口V4和反吹口V5处于闭合状态，压差阀V6处于开合状态。主真空泵9与过滤罐相连，能过滤掉从主炉腔8抽入主真空管路中的氧化物微粒，防止氧化物直接进入主真空泵9，对主真空泵9造成不良影响；当主真空泵9意外停止时，压差阀V6立刻闭合，能防止氧化物回流进主炉腔8。[0016]主炉腔8不工作时，可以对过滤罐进行清理。主炉腔8的主阀V1和蝶阀V2闭合，隔开主真空泵9和主炉腔8，打开氧化阀V3，让大气缓慢进入过滤罐，以氧化过滤器里面的粉尘，约3小时后，再打开反吹口V