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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111893558A(43)申请公布日2020.11.06(21)申请号202010625055.7(22)申请日2020.07.01(71)申请人中国科学院上海微系统与信息技术研究所地址200050上海市长宁区长宁路865号申请人上海新昇半导体科技有限公司(72)发明人魏星魏涛李名浩栗展刘赟薛忠营(74)专利代理机构广州三环专利商标代理有限公司44202代理人郝传鑫贾允(51)Int.Cl.C30B15/00(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图5页(54)发明名称一种用于单晶硅生长炉的薄膜隔热片及单晶硅生长炉(57)摘要本发明提供一种用于单晶硅生长炉的薄膜隔热片,包括第一折射层和第二折射层,所述第一折射层的折射率与所述第二折射层的折射率不同,所述第一折射层和所述第二折射层相互交替形成层叠结构,所述第一折射层和与之相邻设置的第二折射层相贴合;在此基础上,本发明还提供一种单晶硅生长炉,所述薄膜隔热片设置在所述单晶硅生长炉中的热屏上;本发明提供一种用于单晶硅生长炉的薄膜隔热片,在热辐射波长范围内具有良好的反射性能,当将其设置在热屏上以应用于单晶硅生长炉中时,能够提高热屏对热能的反射能力,降低熔融的硅熔体热量的耗散,提高热能利用率;并且有利于热场的保温性能,从而有利于提高热场的质量以提高单晶硅生长的质量和产量。CN111893558ACN111893558A权利要求书1/1页1.一种用于单晶硅生长炉的薄膜隔热片,其特征在于,包括第一折射层(10)和第二折射层(20),所述第一折射层(10)的折射率与所述第二折射层(20)的折射率不同,所述第一折射层(10)和所述第二折射层(20)相互交替形成层叠结构,所述第一折射层(10)和与之相邻设置的第二折射层(20)相贴合。2.根据权利要求1所述的一种用于单晶硅生长炉的薄膜隔热片,其特征在于,所有所述第一折射层(10)均由硅制得,所述第一折射层(10)的厚度在0.1mm-0.8mm的范围内,所述第一折射层(10)的粗糙度小于1.4A。3.根据权利要求2所述的一种用于单晶硅生长炉的薄膜隔热片,其特征在于,所述第一折射层(10)的厚度在0.1mm-0.3mm的范围内,所述第一折射层(10)的粗糙度小于1A。4.根据权利要求1所述的一种用于单晶硅生长炉的薄膜隔热片,其特征在于,所有所述第一折射层(10)均由钼制得,所述第一折射层(10)的厚度在0.5mm-3mm的范围内,所述第一折射层(10)的粗糙度小于10A。5.根据权利要求4所述的一种用于单晶硅生长炉的薄膜隔热片,其特征在于,所述第一折射层(10)的厚度在1mm-2mm的范围内,所述第一折射层(10)的粗糙度小于3A。6.根据权利要求1所述的一种用于单晶硅生长炉的薄膜隔热片,其特征在于,所述层叠结构中至少有一个所述第一折射层(10)由硅制得,所述层叠结构中至少有一个所述第一折射层(10)由钼制得,由硅制得的所述第一折射层(10)其厚度在0.1mm-0.8mm的范围内,由钼制得的所述第一折射层(10)其厚度在0.5mm-3mm的范围内。7.根据权利要求2或4或6所述的一种用于单晶硅生长炉的薄膜隔热片,其特征在于,所述第二折射层(20)由二氧化硅制得,所述第二折射层(20)的厚度在0.1mm-1.5mm范围内,所述第二折射层(20)的粗造度小于2A。8.根据权利要求7所述的一种用于单晶硅生长炉的薄膜隔热片,其特征在于,所述第二折射层(20)的厚度在0.1mm-0.5mm范围内,所述第二折射层(20)的粗造度小于1A。9.根据权利要求1所述的一种用于单晶硅生长炉的薄膜隔热片,其特征在于,所述薄膜隔热片还设有封装层,所述封装层用于封装所述层叠结构。10.一种单晶硅生长炉,其特征在于,包括炉体、坩埚、加热器、热屏和如权利要求1至9任意一项所述的薄膜隔热片,所述薄膜隔热片设置在所述热屏上;所述炉体内设有容腔;所述坩埚设置在所述容腔内,所述坩埚用于承载供单晶硅生长的熔体;所述加热器设置在所述坩埚与所述炉体之间,所述加热器用于提供单晶硅生长所需的热场;所述热屏设置在所述坩埚的上方,所述热屏用于反射所述坩埚散发的热能,所述薄膜隔热片设置在所述热屏靠近所述坩埚的一侧和/或所述薄膜隔热片设置在所述坩埚靠近生长出的单晶硅的一侧。2CN111893558A说明书1/7页一种用于单晶硅生长炉的薄膜隔热片及单晶硅生长炉技术领域[0001]本发明涉及半导体制造领域,特别涉及一种用于单晶硅生长炉的薄膜隔热片及单晶硅生长炉。背景技术[0002]单晶硅是现代通信技术、集成电路及太阳能电池等行业得以持续发展的材料基础,有着不可替代的作用。目前,从熔体中生长单晶硅