半导体用密封组合物、半导体装置及其制造方法、以及聚合物及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN104081503104081503A(43)申请公布日2014.10.01(21)申请号201380005535.1C08G73/04(2006.01)(22)申请日2013.01.16H01L21/768(2006.01)H01L23/29(2006.01)(30)优先权数据H01L23/31(2006.01)2012-0071512012.01.17JPH01L23/532(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日2014.07.15(86)PCT国际申请的申请数据PCT/JP2013/0506862013.01.16(87)PCT国际申请的公布数据WO2013/108791JA2013.07.25(71)申请人三井化学株式会社地址日本东京都(72)发明人小野升子茅场靖刚田中博文高村一夫铃木常司三尾茂(74)专利代理机构北京银龙知识产权代理有限公司11243代理人钟晶於毓桢(51)Int.Cl.权权利要求书2页利要求书2页说明书29页说明书29页附图4页附图4页H01L21/312(2006.01)按照条约第19条修改的权利要求书2页按照条约第19条修改的权利要求书2页按照条约第19条修改的声明或说明1页按照条约第19条修改的声明或说明1页(54)发明名称半导体用密封组合物、半导体装置及其制造方法、以及聚合物及其制造方法(57)摘要在本发明中提供一种半导体用密封组合物，其含有下述聚合物，且钠和钾的含量以元素基准计分别为10重量ppb以下，所述聚合物具有包含叔氮原子和季氮原子中的至少一方的2个以上阳离子性官能团，且重均分子量为2000～1000000，支化度为48％以上。CN104081503ACN104853ACN104081503A权利要求书1/2页1.一种半导体用密封组合物，其含有下述聚合物，且钠和钾的含量以元素基准计分别为10重量ppb以下，所述聚合物具有包含叔氮原子和季氮原子中的至少一方的2个以上阳离子性官能团，且重均分子量为2000～1000000，支化度为48％以上。2.根据权利要求1所述的半导体用密封组合物，所述聚合物具有来源于碳原子数2～8的亚烷基亚胺并且包含叔氮原子作为阳离子性官能团的结构单元。3.根据权利要求2所述的半导体用密封组合物，所述聚合物还具有来源于碳原子数2～8的亚烷基亚胺并且包含仲氮原子作为阳离子性官能团的结构单元。4.根据权利要求1～3的任一项所述的半导体密封用组合物，所述聚合物包含伯氮原子，所述聚合物中的伯氮原子在全部氮原子中所占的比例为33摩尔％以上。5.根据权利要求1～3的任一项所述的半导体用密封组合物，所述聚合物的支化度为55％以上。6.根据权利要求1～3的任一项所述的半导体用密封组合物，通过动态光散射法测定得到的平均粒径为150nm以下。7.根据权利要求1～3的任一项所述的半导体用密封组合物，所述聚合物为聚乙烯亚胺或聚乙烯亚胺的衍生物。8.根据权利要求1～3的任一项所述的半导体用密封组合物，所述聚合物的阳离子性官能团当量为27～430。9.一种半导体装置的制造方法，其包含下述密封组合物施与工序：将权利要求1～3的任一项所述的半导体用密封组合物，施与至基板上所形成的层间绝缘层。10.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，所述层间绝缘层包含多孔质二氧化硅，且在其表面具有来源于所述多孔质二氧化硅的硅烷醇残基。11.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，还包含下述工序：在所述层间绝缘层处形成10nm～32nm宽的凹状的槽，所述密封组合物施与工序是，使所述半导体用密封组合物至少与所述凹状的槽的侧面的层间绝缘层接触。12.一种半导体装置，其具备依次配置有层间绝缘层、聚合物层和包含铜的层的结构，所述聚合物层包含下述聚合物，所述聚合物具有包含叔氮原子和季氮原子中的至少一方的2个以上阳离子性官能团，且重均分子量为2000～600000，支化度为48％以上。13.一种聚合物，其具有包含叔氮原子和季氮原子中的至少一方的2个以上阳离子性官能团，且重均分子量为2000～1000000，支化度为48％以上。14.根据权利要求13所述的聚合物，其为聚乙烯亚胺或聚乙烯亚胺的衍生物。15.一种聚合物的制造方法，是制造权利要求13或14所述的聚合物的方法，其具有下述工序：使下述通式(m-1)所示的化合物与包含仲氮原子的原料聚合物反应，2CN104081503A权利要求书2/2页通式(m-1)中，R表示保护基，n表示1～4的整数。3CN104081503A说明书1/29页半导体用密封组合物、半导体装置及其制造方法、以及聚合物及其制造方法技术领域[0001]本发明涉及半导体用密封组合物、半导体装置及