半导体装置以及其制造方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115939166A(43)申请公布日2023.04.07(21)申请号202210037585.9H01L21/56(2006.01)(22)申请日2022.01.13H01L23/31(2006.01)(30)优先权数据2021-1641022021.10.05JP(71)申请人新电元工业株式会社地址日本东京都千代田区大手町二丁目2番1号(72)发明人伊东浩二小笠原淳村井亮太(74)专利代理机构上海德昭知识产权代理有限公司31204专利代理师郁旦蓉(51)Int.Cl.H01L29/06(2006.01)H01L29/861(2006.01)H01L21/329(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图5页(54)发明名称半导体装置以及其制造方法(57)摘要本发明提供一种能够高耐量且易于制造的半导体装置。本发明涉及的半导体装置，包括：台面型二极管结构部(20)，依次层积有P型半导体层(11)、第一N型半导体层(12)、以及杂质浓度比所述第一N型半导体层高的第二N型半导体层(13)；以及在平面视图中配置在所述台面型二极管结构部(20)周围的侧壁的保护层(17b)，其中，在所述P型半导体层的下侧的侧面未配置所述保护层，在所述P型半导体层的上侧的侧面配置有所述保护层，在所述第一N型半导体层的侧面12a以及所述第二N型半导体层的侧面13a配置有所述保护层，所述P型半导体层与所述第一N型半导体层之间的的PN结面与所述P型半导体层的上侧的侧面11c构成的斜角(30)大于等于85度小于等于120度。CN115939166ACN115939166A权利要求书1/2页1.一种半导体装置，其特征在于，包括：台面型二极管结构部，依次层积有P型半导体层、第一N型半导体层、以及杂质浓度比所述第一N型半导体层高的第二N型半导体层；以及保护层，配置在俯视时所述台面型二极管结构部的周围的侧壁，其中，在所述P型半导体层的下侧的侧面未配置所述保护层，在所述P型半导体层的上侧的侧面配置有所述保护层，在所述第一N型半导体层的侧面以及所述第二N型半导体层的侧面配置有所述保护层，由所述P型半导体层与所述第一N型半导体层之间的PN结面与所述P型半导体层的上侧的侧面之间形成的斜角大于等于85度且小于等于120度。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：其中，由所述第一N型半导体层与所述第二N型半导体层之间的接合面与所述第一N型半导体层与所述第二N型半导体层之间的接合部的侧面之间形成的角度大于等于85度且小于等于95度。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：其中，所述P型半导体层的下侧的侧面与所述第二N型半导体层的侧面之间的距离大于等于50μm且小于等于150μm。4.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：准备半导体基板的工序(a)，所述半导体基板依次层积有P型半导体层、第一N型半导体层、以及杂质浓度比所述第一N型半导体层高的第二N型半导体层；在所述半导体基板上，通过用切割刀片切削形成从所述第二N型半导体层一侧至所述P型半导体层中途深度的槽的工序(bc)；在所述槽的内部涂布玻璃粉或含玻璃粉的材料的工序(e)；通过烧成含有所述玻璃粉或玻璃粉材料，在所述槽的内部形成玻璃层的工序(f)；在位于所述槽旁边的所述第二N型半导体层上形成第一电极的工序(h)；以及通过用第三切割刀片沿着所述槽的底部的中央切削所述玻璃层和所述P型半导体层，从而切割所述半导体基板的工序(i)，其中，由所述P型半导体层与所述第一N型半导体层之间的PN结面与所述P型半导体层的上侧的侧面之间形成的斜角大于等于85度且小于等于120度，由所述第一N型半导体层与所述第二N型半导体层之间的接合面与所述第一N型半导体层与所述第二N型半导体层之间的接合部的侧面之间形成的角度大于等于85度且小于等于95度，所述第三切割刀片的宽度窄于所述切割刀片的宽度。5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：其中，所述切割刀片的外周端部的宽度窄于内侧的宽度。6.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：所述工序(bc)包含：在所述半导体基板上，通过用第一切割刀片切削形成从所述第二N型半导体层一侧至所述P型半导体层的中途深度的第一槽的工序(b)；以及在所述半导体基板上，通过用第二切割刀片以不与所述第一槽重叠方式切削形成从所2CN115939166A权利要求书2/2页述第二N型半导体层一侧至所述第一N型半导体层的中途深度的第二槽的工序(c)，其中，所述第二切割刀片的宽度宽于所述第一切割刀片的宽度。7.根据权利要求4至6中任意一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：在所述工序(bc)与所述工序(e)之间，包含在槽的底面、