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提供一种半导体元件的制造方法等,该由Ga2O3系半导体构成的半导体元件的制造方法,能够从1个晶片在抑制划片时的破损的同时得到具有散热性优异的结构的多个半导体元件。提供一种半导体元件的制造方法,其包含:准备包括Ga2O3系半导体的半导体晶片(10)的工序;将半导体晶片(10)的外延层(12)侧固定到支撑基板(21)的工序;将半导体晶片(10)的基板(11)减薄的工序;在基板(11)的下表面上形成阴极电极(16)的工序;在阴极电极(16)的下表面上粘接金属板(23)的工序;以及将半导体晶片(10)通过划片进行单片化,得到分别具备金属板(23)的多个SBD(1)的工序。