共轭二烯系聚合物及其制造方法、共轭二烯系聚合物组合物以及橡胶组合物.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113493542A(43)申请公布日2021.10.12(21)申请号202110358570.8C08F230/08(2006.01)(22)申请日2021.04.01C08L9/06(2006.01)B60C1/00(2006.01)(30)优先权数据2020-0678422020.04.03JP2021-0226112021.02.16JP(71)申请人旭化成株式会社地址日本东京都(72)发明人石坂隆宜伊势优一角谷省吾久村谦太关川新一荒木祥文(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127代理人李洋庞东成(51)Int.Cl.C08F236/10(2006.01)C08F212/08(2006.01)权利要求书2页说明书52页(54)发明名称共轭二烯系聚合物及其制造方法、共轭二烯系聚合物组合物以及橡胶组合物(57)摘要本发明涉及共轭二烯系聚合物及其制造方法、共轭二烯系聚合物组合物以及橡胶组合物，得到一种制成硫化物后的拉伸强度、耐磨耗性以及低磁滞损耗性优异的共轭二烯系聚合物。一种共轭二烯系聚合物，其通过带粘度检测器的GPC‑光散射法测定法求出的支化度(Bn)为7以上，重均分子量为45×104以上500×104以下，其中，上述共轭二烯系聚合物中的芳香族乙烯基单体单元的含量为30～45质量％，芳香族乙烯基单体单元的含量(质量％)的值大于共轭二烯单体单元中的乙烯基键合量(mоl％)的值。CN113493542ACN113493542A权利要求书1/2页1.一种共轭二烯系聚合物，其通过带粘度检测器的GPC‑光散射法测定法求出的支化度(Bn)为7以上，重均分子量为45×104以上500×104以下，其中，所述共轭二烯系聚合物中的芳香族乙烯基单体单元的含量为30质量％～45质量％，芳香族乙烯基单体单元的以质量％为单位的含量的值大于共轭二烯单体单元中的以mоl％为单位的乙烯基键合量的值。2.如权利要求1所述的共轭二烯系聚合物，其中，所述共轭二烯系聚合物通过柱吸附GPC法测定的改性率为60质量％以上。3.如权利要求1或2所述的共轭二烯系聚合物，其含有氮原子以及硅原子。4.如权利要求1～3中任一项所述的共轭二烯系聚合物，其中，所述共轭二烯系聚合物具有3分支以上的星形高分子结构，在至少一个星形结构的支链上具有来自包含烷氧基甲硅烷基或卤代甲硅烷基的乙烯基系单体的部分，在该来自包含烷氧基甲硅烷基或卤代甲硅烷基的乙烯基系单体的部分具有进一步的主链分支结构。5.如权利要求4所述的共轭二烯系聚合物，其中，所述包含烷氧基甲硅烷基或卤代甲硅烷基的乙烯基系单体为下述式(1)或式(2)所表示的化合物，[化1]式(1)中，R1表示氢原子或碳原子数1～20的烷基或碳原子数6～20的芳基，在其一部分可以具有分支结构；R2～R3各自独立地表示碳原子数1～20的烷基或碳原子数6～20的芳基，在其一部分可以具有分支结构；存在复数个的情况下的R1～R3各自独立；X1表示独立的卤原子；m表示0～2的整数，n表示0～3的整数，l表示0～3的整数，(m+n+l)表示3；[化2]2CN113493542A权利要求书2/2页式(2)中，R2～R5各自独立地表示碳原子数1～20的烷基或碳原子数6～20的芳基，在其一部分可以具有分支结构；存在复数个的情况下的R2～R5各自独立；X2～X3表示独立的卤原子；m表示0～2的整数，n表示0～3的整数，l表示0～3的整数，(m+n+l)表示3；a表示0～2的整数，b表示0～3的整数，c表示0～3的整数，(a+b+c)表示3。6.如权利要求5所述的共轭二烯系聚合物，其具有基于所述式(1)所表示的化合物的单体单元，所述式(1)中，R1为氢原子，m＝0。7.如权利要求5所述的共轭二烯系聚合物，其具有基于所述式(2)所表示的化合物的单体单元，所述式(2)中，m＝0、b＝0。8.如权利要求5所述的共轭二烯系聚合物，其具有基于所述式(1)所表示的化合物的单体单元，所述式(1)中，R1为氢原子、m＝0、l＝0、n＝3。9.如权利要求5所述的共轭二烯系聚合物，其具有基于所述式(2)所表示的化合物的单体单元，所述式(2)中，m＝0、l＝0、n＝3、a＝0、b＝0、c＝3。10.一种共轭二烯系聚合物的制造方法，其是权利要求1～9中任一项所述的共轭二烯系聚合物的制造方法，其中，该方法具有下述工序：使用有机锂化合物作为聚合引发剂，在包含极性化合物的溶剂中，一边至少将共轭二烯化合物和芳香族乙烯基化合物聚合，一边添加支化剂，得到具有主链分支结构的共轭二烯系聚合物。11.如权利要求10所述的共轭二烯系聚合物的制造方法，其中，该方法进一步具有下述工序：使偶联剂与所述具有主链分支结构的共轭二