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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113493543A(43)申请公布日2021.10.12(21)申请号202110369710.1C08L9/00(2006.01)(22)申请日2021.04.06C08L7/00(2006.01)(30)优先权数据2020-0696712020.04.08JP2021-0208692021.02.12JP(71)申请人旭化成株式会社地址日本东京都(72)发明人关川新一笹谷荣治久村谦太山浦幸夫(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127代理人李洋庞东成(51)Int.Cl.C08F236/14(2006.01)C08F236/06(2006.01)权利要求书2页说明书53页附图1页(54)发明名称共轭二烯系聚合物及其制造方法以及橡胶组合物(57)摘要本发明涉及共轭二烯系聚合物及其制造方法以及橡胶组合物。本发明提供的共轭二烯系聚合物抑制了成型为胶块后的冷变形性,并且制作硫化物时的加工性优异,制成硫化物后的破坏特性和耐磨耗性优异、低磁滞损耗性与抗湿滑性的平衡优异。一种含有氮原子的共轭二烯系聚合物,其在100℃测定的门尼粘度为30以上120以下,1,2‑乙烯基键合量为25摩尔%以下,1,4‑顺式键合量为40摩尔%以下,通过带粘度检测器的GPC‑光散射法测定法求出的支化度(Bn)为4以上25以下。CN113493543ACN113493543A权利要求书1/2页1.一种含有氮原子的共轭二烯系聚合物,其中,在100℃测定的门尼粘度为30以上120以下,1,2‑乙烯基键合量为25摩尔%以下,1,4‑顺式键合量为40摩尔%以下,通过带粘度检测器的GPC‑光散射法测定法求出的支化度(Bn)为4以上25以下。2.如权利要求1所述的共轭二烯系聚合物,其中,通过带粘度检测器的GPC‑光散射测定法求出的1/2Hi的聚合物的支化度(Bn)为7以上,关于所述1/2Hi的聚合物的支化度(Bn),其是以绝对分子量曲线中的峰顶的高度Hi为基准,绝对分子量曲线中的高度为Hi的1/2的高度(1/2Hi)时的至少2个绝对分子量之中最高的绝对分子量的聚合物的支化度(Bn),其中,在所述绝对分子量曲线中的峰顶存在复数个的情况下,所述峰顶的高度是绝对分子量最大的峰顶的高度。3.如权利要求1或2所述的共轭二烯系聚合物,其中,利用柱吸附GPC法测定的改性率为60质量%以上。4.如权利要求1~3中任一项所述的共轭二烯系聚合物,其中,该聚合物具有来自包含烷氧基甲硅烷基或卤代甲硅烷基的乙烯基系单体的部分,在该来自包含烷氧基甲硅烷基或卤代甲硅烷基的乙烯基系单体的部分具有分支结构。5.如权利要求4所述的共轭二烯系聚合物,其中,所述来自包含烷氧基甲硅烷基或卤代甲硅烷基的乙烯基系单体的部分为来自下述式(1)或式(2)所表示的化合物的单体单元,该聚合物具有基于来自下述式(1)或式(2)所表示的化合物的单体单元的高分子链的支化点,[化1]式(1)中,R1表示氢原子或在其一部分可以具有分支结构的碳原子数1~20的烷基或碳原子数6~20的芳基;R2~R3各自独立地表示在其一部分可以具有分支结构的碳原子数1~20的烷基或碳原子数6~20的芳基;存在复数个的情况下的R1~R3各自独立;X1表示独立的卤原子;m表示0~2的整数,n表示0~3的整数,l表示0~3的整数,(m+n+l)为3;[化2]2CN113493543A权利要求书2/2页式(2)中,R2~R5各自独立地表示在其一部分可以具有分支结构的碳原子数1~20的烷基或碳原子数6~20的芳基,存在复数个的情况下的R2~R5各自独立;X2~X3各自独立地表示卤原子;m表示0~2的整数,n表示0~3的整数,l表示0~3的整数,(m+n+l)为3;a表示0~2的整数,b表示0~3的整数,c表示0~3的整数,(a+b+c)为3。6.如权利要求5所述的共轭二烯系聚合物,其中,该聚合物具有来自所述式(1)所表示的化合物的单体单元,所述式(1)中,R1表示氢原子,m表示0。7.如权利要求5所述的共轭二烯系聚合物,其中,该聚合物具有来自所述式(2)所表示的化合物的单体单元,所述式(2)中,m表示0,b表示0。8.如权利要求5所述的共轭二烯系聚合物,其中,该聚合物具有来自所述式(1)所表示的化合物的单体单元,所述式(1)中,R1表示氢原子,m表示0,n表示3,l表示0。9.如权利要求5所述的共轭二烯系聚合物,其中,该聚合物具有来自所述式(2)所表示的化合物的单体单元,所述式(2)中,m表示0,n表示3,l表示0,a表示0,b表示0,c表示3。10.权利要求1~9中任一项所述的共轭二烯系聚合物的制造方法,其中,该方法具有下述工序:聚合和支化工序,使用有机锂化合物作为聚合引发