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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114341206A(43)申请公布日2022.04.12(21)申请号202080061016.7(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限(22)申请日2020.08.26公司11127代理人李洋张志楠(30)优先权数据2019-1620422019.09.05JP(51)Int.Cl.C08F36/04(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日C08L9/00(2006.01)2022.02.28B60C1/00(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据C08K3/013(2018.01)PCT/JP2020/0321752020.08.26(87)PCT国际申请的公布数据WO2021/044921JA2021.03.11(71)申请人旭化成株式会社地址日本东京都(72)发明人关川新一久村谦太当房崇吏角谷省吾京美纪权利要求书2页说明书63页附图1页(54)发明名称共轭二烯系聚合物、共轭二烯系聚合物的制造方法、共轭二烯系聚合物组合物以及橡胶组合物(57)摘要本发明的目的在于提供一种在制作硫化物时的加工性极其优异、制成硫化物后的耐磨耗性、操纵稳定性、破坏强度优异的共轭二烯系聚合物。一种共轭二烯系聚合物,其在100℃测定的门尼粘度为40以上170以下,在100℃测定的门尼应力松弛率为0.35以下,通过带粘度检测器的GPC‑光散射法测定法求出的支化度(Bn)为8以上。CN114341206ACN114341206A权利要求书1/2页1.一种共轭二烯系聚合物,其中,在100℃测定的门尼粘度为40以上170以下,在100℃测定的门尼应力松弛率为0.35以下,通过带粘度检测器的GPC‑光散射法测定法求出的支化度(Bn)为8以上。2.如权利要求1所述的共轭二烯系聚合物,其中,以利用带粘度检测器的GPC‑光散射测定法得到的绝对分子量曲线中的峰顶的高度Hi为基准,在绝对分子量曲线中的高度为Hi的1/2的高度(1/2Hi)时的至少2个绝对分子量之中最高的绝对分子量的聚合物的支化度(Bn)为12以上,其中,在所述绝对分子量曲线中的峰顶存在复数个的情况下,所述峰顶的高度是绝对分子量最大的峰顶的高度。3.如权利要求1或2所述的共轭二烯系聚合物,其中,共轭二烯系聚合物含有氮原子。4.如权利要求1~3中任一项所述的共轭二烯系聚合物,其中,利用柱吸附GPC法测定的改性率为60质量%以上。5.如权利要求1~4中任一项所述的共轭二烯系聚合物,其中,该聚合物具有来自包含烷氧基甲硅烷基或卤代甲硅烷基的乙烯基系单体的部分,在该来自包含烷氧基甲硅烷基或卤代甲硅烷基的乙烯基系单体的部分具有主链分支结构。6.如权利要求1~5中任一项所述的共轭二烯系聚合物,其中,该聚合物具有3分支以上的星形高分子结构,在至少一个星形结构的支链上具有来自包含烷氧基甲硅烷基或卤代甲硅烷基的乙烯基系单体的部分,在该来自包含烷氧基甲硅烷基或卤代甲硅烷基的乙烯基系单体的部分具有进一步的主链分支结构。7.如权利要求5或6所述的共轭二烯系聚合物,其中,所述来自包含烷氧基甲硅烷基或卤代甲硅烷基的乙烯基系单体的部分为基于下述式(1)或式(2)所表示的化合物的单体单元,具有由基于下述式(1)或式(2)所表示的化合物的单体单元所带来的高分子链的支化点,[化1]式(1)中,R1表示氢原子或者碳原子数1~20的烷基或碳原子数6~20的芳基,不具有分支结构或在其一部分具有分支结构;R2~R3各自独立地表示碳原子数1~20的烷基或碳原子数6~20的芳基,不具有分支结构或在其一部分具有分支结构;存在复数个的情况下的R1~R3各自独立;X1表示独立的卤原子;m表示0~2的整数,n表示0~3的整数,l表示0~3的整数;(m+n+l)表示3;2CN114341206A权利要求书2/2页[化2]式(2)中,R2~R5各自独立地表示碳原子数1~20的烷基或碳原子数6~20的芳基,不具有分支结构或在其一部分具有分支结构;存在复数个的情况下的R2~R5各自独立;X2~X3表示独立的卤原子;m表示0~2的整数,n表示0~3的整数,l表示0~3的整数;(m+n+l)表示3;a表示0~2的整数,b表示0~3的整数,c表示0~3的整数;(a+b+c)表示3。8.如权利要求7所述的共轭二烯系聚合物,其具有基于所述式(1)所表示的化合物的单体单元,所述式(1)中,R1为氢原子,m=0。9.如权利要求7所述的共轭二烯系聚合物,其具有基于所述式(2)所表示的化合物的单体单元,所述式(2)中,m=0,b=0。10.如权利要求7所述的共轭二烯系聚合物,其具有基于所述式(1)所表示的化合物的单体单元,所述式(1)中,R1为氢原子,m=0,l=0,n=3。1