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本发明公开了一种硅基氮化镓铝外延片及其制备方法,所述硅基氮化镓铝外延片包括硅衬底,所述硅衬底的背面设有热应力补偿层,所述硅衬底的正面依次层叠有应力补偿层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层;所述应力补偿层包括依次层叠的AlN层、三维Al1?xBzGaN层、SiN层和二维AlyGaN层,其中0<x≤0.5,0.1≤z≤0.3,0.55≤y≤0.6,B选用硅、锌、硼和镁中的一种或组合。本发明能够有效改善来自于衬底的应力状态,减少紫外LED外延片的不良率,提高光电性能。