硅基氮化镓铝外延片及其制备方法.pdf
睿达****的的
亲,该文档总共15页,到这已经超出免费预览范围,如果喜欢就直接下载吧~
相关资料
硅基氮化镓铝外延片及其制备方法.pdf
本发明公开了一种硅基氮化镓铝外延片及其制备方法,所述硅基氮化镓铝外延片包括硅衬底,所述硅衬底的背面设有热应力补偿层,所述硅衬底的正面依次层叠有应力补偿层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层;所述应力补偿层包括依次层叠的AlN层、三维Al<base:Sub>1?x</base:Sub>B<base:Sub>z</base:Sub>GaN层、SiN层和二维Al<base:Sub>y</base:Sub>GaN层,其中0<x≤0.5,0.1≤z≤0.3,0.55≤y≤0.6,
一种硅基氮化镓外延片及其制作方法.pdf
本发明提供一种硅基氮化镓外延片及其制作方法,所述硅基氮化镓外延片包括:硅衬底、在硅衬底上依次层叠的Al层、AlN成核层、应力调变层、N型层、位错微调层、多量子阱层、电子阻挡层、P型层及P型接触层;AlN成核层包括AlN三维成核层和AlN二维成核层;应力调变层为Al<base:Sub>x</base:Sub>B<base:Sub>y</base:Sub>Ga<base:Sub>1?x?y</base:Sub>N层,其中0<x<0.5,0<y<0.5;位错微调层为AlN层、BN层、及BGaN层中的任意一种或者
氮化镓基LED外延结构及其制备方法.pdf
本发明提供了一种氮化镓基LED外延结构及其制备方法,其中,氮化镓基LED外延结构包括:依次生长于生长衬底表面的成核层、电流扩展层、应力缓冲层、InAlN电子阻挡层、多量子阱垒区、AlGaN电子阻挡层及P型GaN层,其中,InAlN电子阻挡层由多重InAlN/GaN周期结构组成;在每重周期结构中,InAlN层中的In组分为1%~25%。其在多量子阱垒区域前插入由多重InAlN/GaN周期结构组成的InAlN电子阻挡层,在AlGaN电子阻挡层的基础上,进一步对电子进行阻挡,能够有效降低LED芯片在超大电流工作
氮化镓基LED外延结构及其制备方法.pdf
本发明提供了一种氮化镓基LED外延结构及其制备方法,其中,氮化镓基LED外延结构包括:依次生长于生长衬底表面的成核层、电流扩展层、应力缓冲层、InAlN电子阻挡层、多量子阱垒区、AlGaN电子阻挡层及P型GaN层,其中,InAlN电子阻挡层由多重InAlN/GaN周期结构组成;在每重周期结构中,InAlN层中的In组分为1%~25%。其在多量子阱垒区域前插入由多重InAlN/GaN周期结构组成的InAlN电子阻挡层,在AlGaN电子阻挡层的基础上,进一步对电子进行阻挡,能够有效降低LED芯片在超大电流工作
金刚石基氮化镓外延的衬底结构及其制备方法.pdf
本发明涉及一种金刚石基氮化镓外延的衬底结构及其制备方法,该制备方法包括:步骤1:在金刚石衬底上制备氮化铝成核层;步骤2:在铜箔表面生长石墨烯层;步骤3:将石墨烯层从铜箔转移至氮化铝成核层上;步骤4:在石墨烯层上外延生长氮化镓外延层,得到金刚石基氮化镓外延的衬底结构。本发明的金刚石基氮化镓外延的衬底结构的制备方法,首先在金刚石衬底上低温磁控溅射了一层氮化铝成核层,再通过转移的方式将石墨烯层转移至氮化铝成核层上,然后再进行氮化镓外延生长,外延得到的氮化镓层具有良好的晶格取向,氮化铝成核层起到了晶格修正的作用。