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本发明提供一种硅基氮化镓外延片及其制作方法,所述硅基氮化镓外延片包括:硅衬底、在硅衬底上依次层叠的Al层、AlN成核层、应力调变层、N型层、位错微调层、多量子阱层、电子阻挡层、P型层及P型接触层;AlN成核层包括AlN三维成核层和AlN二维成核层;应力调变层为AlxByGa1?x?yN层,其中0<x<0.5,0<y<0.5;位错微调层为AlN层、BN层、及BGaN层中的任意一种或者多种组合。本发明解决了现有采用硅衬底的氮化镓外延的位错密度大的问题。