一种硅纳米线基柔性自支撑电极材料及其制备方法.pdf
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一种硅纳米线基柔性自支撑电极材料及其制备方法.pdf
本发明公开了一种硅纳米线基柔性自支撑电极材料及其制备方法,属于二次资源利用的技术领域。该方法是以光伏产业晶体硅切割废硅粉为硅源,柔性碳纤维布为基底,通过高温快速电致热冲击过程在基底上原位生长硅纳米线。所述的制备方法包括以下步骤:(1)将微米级的切割废硅粉制成均匀分散的悬浊液;(2)将柔性碳布浸泡在步骤(1)的悬浊液中;(3)取出碳布在干燥设备中进行处理;(4)将负载废硅粉的碳布进行电致热冲击在柔性碳布基底上原位生长硅纳米线。将获得的生长硅纳米线的碳布作为自支撑电极材料用于锂离子电池负极时,具有高容量和优异
一种水滑石基自支撑电极材料的制备方法及其应用.pdf
本发明公开了一种水滑石基自支撑电极材料的制备方法及其应用,包括将Ni(NO3)2?6H2O、FeSO4?7H2O、NH4F,其中Ni:Fe的摩尔量比值4:1和NH4F、尿素溶解在去离子水中,并搅拌均匀,形成溶液A;将碳纤维布浸入浓度大于9mol/L浓硫酸进行预处理,浸渍预处理;将碳布与溶液A一起密封在容器中,间歇式搅拌约12~48小时;洗净处理后,在烘箱中烘干,便得到NiFeLDH@CC电极材料;NiFeLDH@CC电极材料复合Ru亚纳米团簇。本发明可制备出一种低贵金属含量(质量百分比<1%
一种自支撑高增益柔性硅基光电探测器的制备方法.pdf
本发明涉及一种自支撑高增益柔性硅基光电探测器的制备方法,通过化学腐蚀对单晶硅进行减薄使之具有柔韧性,并在柔性单晶硅表面制备具有准周期微锥结构的过饱和掺杂层,以此形成柔性黑硅。再经过退火处理激活黑硅层中的掺杂元素,极大提高了柔性单晶硅的吸收率并拓展了其光谱吸收范围。该柔性硅基光电探测器工作在反偏电压下,吸收光子产生光生电子‑空穴对,在外电场作用下分离,最终被电极收集后形成光电流,从而实现了光探测。本发明具有工艺简单,原材料易获取,易操控等优点,本发明所制备的柔性硅基光电探测器一方面实现了自支撑,另一方面实现
一种自支撑电极及其制备方法和应用.pdf
本发明涉及锂离子电池电极技术与金属腐蚀领域,尤其涉及一种自支撑电极及其制备方法和应用。本发明提供了一种自支撑电极,包括具有三维双连续纳米介孔结构的金属磷化物基体和分布在所述金属磷化物基体的介孔结构孔壁上的金属氧化物;所述金属磷化物基体的材料为Co<base:Sub>1?x</base:Sub>Fe<base:Sub>x</base:Sub>P,其中,0&lt;x&lt;1;所述金属磷化物、金属氧化物表面包覆有类石墨烯碳;所述金属氧化物包括钴氧化物和铁氧化物。所述自支撑电极不仅制备工艺简便、
一种自支撑柔性复合薄膜及其制备方法.pdf
本发明涉及一种自支撑柔性复合薄膜及其制备方法,属于超级电容器电极材料领域。本发明的自支撑柔性复合薄膜包括将赝电容材料与碳材料在水溶液中通过物理静电吸附的方式混合,再经超声得到赝电容材料/碳材料均匀混合液,之后将赝电容材料/碳材料的均匀混合液真空抽滤,得到赝电容材料/碳材料复合材料;将得到的赝电容材料/碳材料复合材料在管式炉中氨气气氛下550℃‑650℃热处理进行氮掺杂,同时碳材料在550℃‑650℃的热处理下还原,最终得到所述自支撑柔性复合薄膜。本发明自支撑柔性复合薄膜的制备方法,实现了导电剂与粘结剂的去