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本发明涉及电子陶瓷材料领域,具体为一种高纯纳米电子陶瓷及其制备方法,由以下化学式表示:xBi(NiaTi1?a)O3?yBiMnO3?(1?x?y)Pb(MgbNb1?b)O3?cLnAlO3其中,x、y、a、b表示原子百分比,c代表LnAlO3占xBi(NiaTi1?a)O3?yBiMnO3?(1?x?y)Pb(MgbNb1?b)O3的质量百分比;x为0.40?0.50,y为0.35?0.45,a为0.45?0.75,b为0.30?0.40,c为0.02?0.03;Ln为镧系元素,本发明所制备的高纯纳米电子陶瓷具有良好的高温压电性能,可以满足高温压电陶瓷的温度要求,且适合商业化使用。