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本发明公开了一种低介电常数高品质因数的微波介质陶瓷及其制备方法,本发明的微波介质陶瓷的化学组成表达式为MgAlF5,其相对介电常数为6.5~7.7,品质因数为31400~40500GHz,本发明的微波介质陶瓷具有十分优异的低介电常数与高品质因数性能组合,在未来微波通讯系统无源器件中有非常广泛的应用前景。本发明的一种低介电常数高品质因数的微波介质陶瓷的制备方法采用固相反应法制备工艺,工艺简单,重复性好且合成的物相稳定单一。此外,本发明的一种低介电常数高品质因数的微波介质陶瓷的制备方法以全氟化物为反应原料,烧结温度不高于1200℃,相比于其他氧化物陶瓷,如MgAl2O4(1450℃)等烧结温度降低了275℃以上,能大大节约大规模工业生产的成本。