一种硼氮化合物及其制备方法和应用.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN116023402A(43)申请公布日2023.04.28(21)申请号202310125762.3H10K85/40(2023.01)(22)申请日2023.02.17H10K50/11(2023.01)H10K50/15(2023.01)(71)申请人季华实验室H10K50/16(2023.01)地址528200广东省佛山市南海区桂城街H10K50/17(2023.01)道环岛南路28号(72)发明人梁宝炎毕海庄旭鸣宋小贤王悦(74)专利代理机构北京开阳星知识产权代理有限公司11710专利代理师姚金金(51)Int.Cl.C07F5/02(2006.01)C09K11/06(2006.01)H10K85/60(2023.01)H10K85/30(2023.01)权利要求书11页说明书36页附图2页(54)发明名称一种硼氮化合物及其制备方法和应用(57)摘要本发明涉及一种硼氮化合物及其制备方法和应用，所述硼氮化合物具有通式I所示的结构。本发明的提供的硼氮化合物引入弱推电子或拉电子的大位阻线型基团，在保证共振单元蓝光发射的同时，降低浓度淬灭效应并降低其折射率，从而获得更高的水平取向因子以及电致发光效率。由此制备的有机电致发光器件实现了窄光谱TADF发射，并且使得磷光敏化器件的电致发光外量子效率高达20%以上，三线态‑三线态湮灭型主体器件的电致发光外量子效率也达到10%以上。CN116023402ACN116023402A权利要求书1/11页1.一种硼氮化合物，其特征在于，所述硼氮化合物具有通式I所示的结构：式I；其中：R选自H、氘、C1C16烷基、C6C30芳基或C5C30杂芳基；1~~~R2选自具有弱推电子或拉电子的大位阻线型基团；R选自H、氘、氟、C1C20烷基、C1C20烷氧基、C3C10环烷基、C6C14芳基、被一个或多个3~~~~aaR取代的C6~C14芳基、5~18元杂芳基、被一个或多个R取代的5~18元杂芳基、二苯胺基、被一个或多个Ra取代的二苯胺基、三苯胺基、被一个或多个Ra取代的三苯胺基、咔唑基、或者被一个或多个Ra取代的咔唑基；aR每次出现时独立地为氘、氟、C1~C12烷基、C1~C12烷氧基、C3~C10环烷基、C6~C14芳基、bb被一个或多个R取代的C6~C14芳基、5~18元杂芳基、被一个或多个R取代的5~18元杂芳基、二苯胺基、被一个或多个Rb取代的二苯胺基，三苯胺基、被一个或多个Rb取代的三苯胺基、咔唑基、或者被一个或多个Rb取代的咔唑基；bR每次出现时独立地为氘、氟、C1~C12烷基、C1~C12烷氧基、C3~C10环烷基、C6~C14芳基、cc被一个或多个R取代的C6~C14芳基、5~18元杂芳基、被一个或多个R取代的5~18元杂芳基、二苯胺基、被一个或多个Rc取代的二苯胺基、三苯胺基、被一个或多个Rc取代的三苯胺基、咔唑基、或者被一个或多个Rc取代的咔唑基；cR每次出现时独立地为氘、氟、C1~C12烷基、C1~C12烷氧基、C3~C10环烷基、C6~C14芳基、dd被一个或多个R取代的C6~C14芳基、5~18元杂芳基、被一个或多个R取代的5~18元杂芳基、二苯胺基、被一个或多个Rd取代的二苯胺基、三苯胺基、被一个或多个Rd取代的三苯胺基、咔唑基、或者被一个或多个Rd取代的咔唑基；dR每次出现时独立地为氘、氟、C1~C12烷基、C1~C12烷氧基、C3~C10环烷基、C6~C14芳基e或者被一个或多个R取代的C6~C14芳基；eR每次出现时独立地为氘、氟、C1~C12烷基、C1~C12烷氧基、C3~C10环烷基、或者C6~C14芳基；上述所述烷基、烷氧基、环烷基、芳基、杂芳基任选取代有一个或多个选自以下的取代基：卤素、C1~C12烷基、C1~C12烷氧基、C1~C12卤代烷基、C2~C6烯基、C3~C10环烷基、C6~C14芳基或5~18元杂芳基。2CN116023402A权利要求书2/11页2.根据权利要求1所述的硼氮化合物，其特征在于，所述R2选自、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、3CN116023402A权利要求书3/11页、、、、、、或，其中，波浪线代表基团的连接位点。3.根据权利要求1所述的硼氮化合物，其特征在于，所述R1选自H、氘、甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、辛基、癸基、、甲氧基、乙氧基、丁氧基、己氧基、、金刚烷基、苯基、4‑甲基‑苯基、4‑乙基‑苯基、4‑丙基‑苯基、4‑异丙基苯基、4‑正丁基苯基、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、4CN116023402A权利要求书4/11页、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、或，其中，波浪线代表基团的连接位