一种氮化硅结合碳化硅复相陶瓷及其制备方法与应用.pdf
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一种氮化硅结合碳化硅复相陶瓷及其制备方法与应用.pdf
本发明涉及一种氮化硅结合碳化硅复相陶瓷及其制备方法与应用。所述制备方法包括:将SiC、Si以及β?Si<base:Sub>3</base:Sub>N<base:Sub>4</base:Sub>粉体混合形成原料粉体,并加入能促进Si粉氮化生成β相Si<base:Sub>3</base:Sub>N<base:Sub>4</base:Sub>棒状晶粒的催化剂;以原料粉体总质量为100wt%计,SiC粉体占比为20?50wt%,Si粉与β?Si<base:Sub>3</base:Sub>N<base:Sub>4<
氮化硅与碳化硅复相多孔陶瓷及其制备方法.pdf
本发明公开了一种Si3N4与SiC复相多孔陶瓷,其氮化率高于85%,孔隙率为30~60%。其制备方法为:①以Si和SiC为原料,添加烧结助剂,球磨混合均匀成浆料;②将浆料进行干燥、过筛、干压成型,并经冷等静压处理形成素坯体;③将素坯体放置于烧结炉中,在高纯氮气气氛中,先升温至900~1200℃,再升温至1300~1500℃,然后进行氮化反应烧结,烧结完毕降温,最后随炉冷却。本发明的烧结方法具有烧结时间快、工艺简单、能耗低等特点,易得到净尺寸成型、复杂形状,孔隙率高、空隙可控、空隙结构定向互连的Si3N4/
一种氧氮化硅结合碳化硅蜂窝陶瓷及其制备方法.pdf
本发明涉及一种氧氮化硅结合碳化硅蜂窝陶瓷及其制备方法,制备方法为:以硅晶圆切割尾料为原料,采用挤出成型工艺进行成型、通过反应烧结工艺在氮气环境下将尾料中的Si粉氮化生成氧氮化硅,进而制备出氧氮化硅结合碳化硅蜂窝陶瓷。本发明减少了蜂窝陶瓷生产成本,同时有效降低了环境污染;此外,本发明制备的氧氮化硅结合碳化硅蜂窝陶瓷,抗压强度>50.4MPa,热导率达到20.9Wm
一种碳化硅复相陶瓷的制备方法.pdf
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一种制备碳化硅颗粒增强氮化硅复相陶瓷零件的方法.pdf
一种制备碳化硅颗粒增强氮化硅复合陶瓷零件的方法,属于陶瓷零件制备技术领域。是将SiC粉末、Si3N4粉末及烧结助剂与石蜡基多组元粘结剂混合成均匀的喂料,喂料经注射成形所得的预成形坯经溶脱、热脱、1150~1200℃预烧结后,置于真空碳管炉在1800~1900℃、Ar气氛下常压烧结,制得SiCp/Si3N4复合陶瓷零件。本发明的优点是:可直接制备出几何形状复杂的SiCp/Si3N4复合陶瓷制品;制品组织均匀,尺寸精度高,且无须后续加工;可实现SiCp/Si3N4材料与零件的一体化成形;建立了具有形状复杂和尺