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本公开提供了一种基于共面电极配置的倏逝波耦合硅基激光器及其制备方法,该激光器包括:III?V族或IV族化合物半导体激光器(1),用于产生激光,SOI波导结构(2),用于输出激光;其中,III?V族或IV族化合物半导体激光器(1)至少包括由多层外延层构成的有源脊波导(110)、电隔离层(108?1、108?2)、正电极、负电极和衬底(101),所述正、负电极设于所述衬底(101)的同一侧,SOI波导结构(2),至少包括硅波导(210)和复合金属层(211),硅波导(210)与有源脊波导(110)表面接触,利用倏逝波耦合原理,使III?V族或IV族化合物半导体激光器产生的光经过损耗较低的N型掺杂层耦合到硅波导中,复合金属层(211)分设于硅波导(210)两侧,分别与正、负电极键合连接。