倏逝波耦合波导雪崩光电探测器的研究与制备的中期报告.docx
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倏逝波耦合波导雪崩光电探测器的研究与制备的中期报告.docx
倏逝波耦合波导雪崩光电探测器的研究与制备的中期报告本文旨在介绍倏逝波耦合波导雪崩光电探测器的研究与制备的中期报告。一、研究背景随着通信技术的迅速发展,光电探测器已成为通信领域不可或缺的重要组成部分。它是将光信号转换为电信号的核心器件。目前,市场上用于100G以上速率的光通信的主流光电探测器是InGaAsP材料制成的***光电二极管和MUTC器件。然而,这些探测器由于它们自身的结构、材料特性以及制备工艺等因素,存在一些缺陷,如探测器响应时间较长、探测效率较低和频带宽窄等。因此,研究新型的探测器已成为当前热门
基于表面等离子体的倏逝波操控方法研究的中期报告.docx
基于表面等离子体的倏逝波操控方法研究的中期报告本次中期报告主要介绍基于表面等离子体的倏逝波操控方法的研究进展情况。以下为具体内容:一、研究背景表面等离子体是一种特殊的电磁波,在金属表面和介质之间传播,具有高度局域化以及高灵敏度等优点,因此被广泛应用于化学、生物、医学等领域。表面等离子体的倏逝波是一种反向传播的电磁波,其性质与传统电磁波有所不同,可以通过操控倏逝波的性质来实现对微观领域中物质的操控。二、研究内容本研究旨在探索基于表面等离子体的倏逝波操控方法,通过对倏逝波的操纵实现对微观领域中物质的定向操控。
基于倏逝波调控的波导光栅天线及制造方法.pdf
本发明公开了一种基于倏逝波调控的波导光栅天线及制造方法,该波导光栅天线包括由下至上的体硅衬底、第一氧化层、器件层和第二氧化层;其中,所述器件层设有间隔预设距离的光栅结构和波导结构,所述波导结构配置为在接收到输入光时,将所述输入光耦合至光栅结构,所述光栅结构配置为将接收的耦合光发射至自由空间。本发明通过在单个器件层中实现光栅结构和波导结构的制备,降低了工艺的复杂度,不需要将光栅刻蚀深度控制到几个纳米,降低了工艺的难度,可轻松实现毫米量级的有效发射长度,解决了目前在单个器件层中制作毫米量级有效发射长度的波导光
基于共面电极配置的倏逝波耦合硅基激光器及其制备方法.pdf
本公开提供了一种基于共面电极配置的倏逝波耦合硅基激光器及其制备方法,该激光器包括:III?V族或IV族化合物半导体激光器(1),用于产生激光,SOI波导结构(2),用于输出激光;其中,III?V族或IV族化合物半导体激光器(1)至少包括由多层外延层构成的有源脊波导(110)、电隔离层(108?1、108?2)、正电极、负电极和衬底(101),所述正、负电极设于所述衬底(101)的同一侧,SOI波导结构(2),至少包括硅波导(210)和复合金属层(211),硅波导(210)与有源脊波导(110)表面接触,利
InP基雪崩光电二极管的单光子探测器的研究的中期报告.docx
InP基雪崩光电二极管的单光子探测器的研究的中期报告这篇中期报告将介绍我们在InP基雪崩光电二极管单光子探测器研究中所取得的进展。背景:雪崩光电二极管(APD)作为一种常用的探测器,具有高增益和高灵敏度的优点,已被广泛应用于光通信和光传感等领域。在单光子探测中,APD也能通过光电子倍增的方式将弱光信号转化为电子信号,从而实现高灵敏度的探测。然而,由于APD在增益过程中产生的电子噪声,单光子探测器的效率和信噪比都会受到影响。研究内容:我们的研究的目标是利用InP基材料的优势,开发出高性能的单光子探测器。具体