氮化物压电体和使用该氮化物压电体的MEMS器件.pdf
东耀****哥哥
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本发明的课题是提供与未添加任何元素的氮化铝相比具有更高的性能指数(d<base:Sub>33</base:Sub>、g<base:Sub>33</base:Sub>和K<base:Sup>2</base:Sup>中的至少任意1个)的值的氮化物压电体和使用该氮化物压电体的MEMS器件。本发明的解决方法是一种压电体,其由化学式Al<base:Sub>1?X?Y</base:Sub>Mg<base:Sub>X</base:Sub>Ta<base:Sub>Y</base:Sub>N表示,其中,X+Y小于1,并且X
Ⅲ族氮化物器件和电路.pdf
提供一种III族氮化物基高电子迁移率晶体管,其具有连接栅极的接地场板。该连接栅极的接地场板器件可以将密勒电容效应最小化。该晶体管可以形成为高电压耗尽型晶体管并可以与低电压增强型晶体管结合使用,以形成按照单一高电压增强型晶体管操作的组件。
氮化物半导体结构体、氮化物半导体器件以及用于制作该器件的方法.pdf
本发明实现了一种包括在单晶第III族氮化物半导体部上的单晶第II?IV族氮化物半导体部的构造。氮化物半导体结构体(1)包括第III族氮化物半导体部(3)和第II?IV族氮化物半导体部(4)。第III族氮化物半导体部(3)是单晶。第III族氮化物半导体部(3)具有预定晶面。第II?IV族氮化物半导体部(4)设置在第III族氮化物半导体部(3)的预定晶面上。第II?IV族氮化物半导体部(4)是单晶。第II?IV族氮化物半导体部(4)含有第II族元素和第IV族元素。第II?IV族氮化物半导体部(4)与第III族
III族氮化物器件及形成III族氮化物器件的方法.pdf
一种III族氮化物器件及形成III族氮化物器件的方法,该方法包括:在缓冲层上形成作为沟道层的第一III族氮化物材料层;在第一III族氮化物材料层的相对于缓冲层的相反侧上形成第二III族氮化物材料层,第一III族氮化物材料层和第二III族氮化物材料层之间的组分差异在第一III族氮化物材料层中感生出2DEG沟道;在缓冲层和沟道层之间形成分散阻挡层,其掺杂有Fe,Mg,Be,C或Zn;在沟道层和分散阻挡层的界面处的负电荷的薄片或分布将电子限制为远离缓冲层;在沟道层和分散阻挡层的界面处的带边不连续使得直接与界面相
卤化氧碳(负)氮化物磷光体及使用该材料的器件.pdf
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